三、化学机械抛光(CMP)技术的工艺流程 1、将硅片固定在抛光头最下面,抛光垫放置在研磨盘上; 2、旋转的抛光头以一定压力压在旋转的抛光垫上,在硅片表面和抛光垫之间加入流动的研磨液(由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成),研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下均匀涂布,在硅片和抛光垫之间形成一层液体薄膜; 3、通...
主要用于半导体制造领域，且半导体产业链可分为晶圆材料制造、半导体设计、半导体制造、封装测试四大环节。除半导体设计环节外，其他领域均有 CMP 设备应用：①晶圆材料制造环节：在抛光环节需要应用 CMP 设备得到平整的晶圆材料。②半导体制造环节：半导体制造中的 CMP 工艺环节是CMP 设备最主要的应用场景。③封装测试环节...
化学反应和机械研磨同时进行,当二者达到平衡时,可以获得稳定的抛光速率,以及圆片表面较好的缺陷移除效果。由于 CMP 工艺可以通过圆片表面微观图形高、低处之间的抛光速率差(高处的速率大于低处的速率)达到去除高处图形从而获得均匀的图形表面的目的,因此 CMP 工艺既可以进行全局乎坦化,也可以达到局部平坦化的效果,而后者...
1.引言光学冷加工的基本工艺为,铣磨毛坯-精磨-抛光-定心磨边-(胶合)-清洗-镀膜-涂墨。经过精磨抛光后的透镜,一般为未定心,存在中心的偏差,分为以下两种情况:(1)光轴倾斜。(2)中心… 飯後時光 CMP化学机械抛光技术及设备拆解 化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)技术的概念是1965年由Monsanto首次提出...
在芯片制造过程中,化学机械抛光(CMP)工艺扮演着至关重要的角色。以下是其主要作用:1️⃣ 平整化表面:CMP能够修整晶圆表面的不平整、凸起和沟壑,使其变得平坦。这对于后续的光刻、薄膜沉积和电镀等工序至关重要,因为它们需要一个平坦的基准面。2️⃣ 移除杂质和缺陷:CMP可以有效去除晶圆表面的杂质、缺陷和污染...
化学机械抛光（Chemical Mechanical Planarization）是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，原理是通过抛光垫将抛光液中的研磨粒子传送到被抛光工件表面，对其表面进行平坦化和去除。晶圆 CMP 工艺示意图如下：资料来源：SK 海力士，国盛证券研究所研究报告，招商证券，思瀚 集成电路的制造过程好比建多层的...
下面将介绍一下化学机械抛光的工艺流程。 首先,需要准备抛光液和抛光机。抛光液通常由硅酸(SiO2)或氧化铝(Al2O3)等颗粒状材料、腐蚀剂和缓冲剂组成。抛光机一般分为两个部分,一个是支撑基材的载板,另一个是旋转的抛光头。 在开始抛光之前,需要将待抛光的基材进行精细清洗,去除表面的杂质和氧化物,以确保基材的...
但它们都属于局部平面化工艺,不能做到全局平面化。90年代兴起的化学机械抛光技术(CMP)则从加工性能和速度上同时满足硅片图形加工的要求,其也是目前唯一可以实现全局平坦化的技术[1]。 2.基本原理 2.1 CMP定义 CMP就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理。 2.2 CMP工作原理[2] 如图...
谢谢！公司回答表示：化学机械抛光（CMP）工艺主要应用于前道晶圆制造和先进封装等芯片制造工艺，其根据客户端的不同可应用于逻辑、3D NAND闪存、DRAM内存、电源管理及功率、高性能计算等芯片制造。目前公司的CMP产品在各工艺类别方面均实现了批量应用，且覆盖了国内绝大部分客户端。本文源自：金融界 作者：公告君 ...
化学机械抛光(CMP)是集成电路制造中不可或缺的一环,它通过结合化学和机械的作用,实现表面材料的精确去除和平坦化。🛠️在20世纪80年代初,IBM公司在制造DRAM时,为了达到圆片表面金属间介电层(IMD)的全局平坦,首次引入了硅氧化物(SiO2)的CMP工艺。随着晶体管集成度的提高,CMP工艺逐渐扩展到对金属钨(W)的抛光。