势垒层是指在半导体器件中两个不同材料之间形成的电势垒,常用于限制电子和空穴的运动。在algan器件中,势垒层一般由algan材料和其他半导体材料组成,例如gan。 势垒层厚度与温度的关系可以从两个方面来讨论:一是势垒高度,即势垒层两侧材料的能带高度差;二是势垒宽度,即势垒层的厚度。 我们来讨论势垒高度与温度的关系。
器件特性的验证与优化基于势垒层厚度 h 的变化展开, 研究结果显示: 漏极电流随 h 值的增加而增加, 当 h 值超过 40 nm 时, 因二维电子气浓度上升缓慢而使漏极电流趋于饱和; 跨导随 h 值的减小而增大, h 每降低 10 nm, 跨导约增大 37 mS/ mm; 势垒层厚度对高频特性的影响较小。关键词: AlGaN/ GaN;...
接着选取势垒层厚度为6nm,分析了不同Ga组分对器件特性的影响,发现随着Ga组分逐渐减小,自发极化强度和极化面电荷密度增大,2DEG浓度最高可达1.42×1013 cm-2.最终确定势垒层厚度为6 nm,Ga组分介于20-50%,Al/In组分比为4.56,从而在实现晶格匹配的同时获得高浓度的2DEG,提高合金质量.本文仿真显示出InAlGaN材料制备...
研究不同上沟道层和下势垒层厚度对器件特性的影响.通过对比转移曲线和跨导曲线,并结合对电子浓度分布对比分析,直观地揭示了上沟道层和下势垒层厚度对转移特性和跨导特性的影响.进一步从半导体物理角度出发,结合异质结极化原理,对能带结构进行分析,探究了上沟道层和下势垒层厚度影响器件性能的根本原因,从而对双沟道HEMT...
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。 相关知识点: 试题来源: 解析 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称...
对于某n型半导体构成的金-半阻挡层接触,加上正向电压时,随着电压增加,阻挡层势垒的厚度将逐渐()。A.变宽B.不变C.变窄D.以上都不对
结果一 题目 电阻率为的n型锗和金属接触形成的肖特基势垒高度为。求加上5V反向电压时的空间电荷层厚度。 答案 解:已知:,。由图4-15查得时,∴相关推荐 1电阻率为的n型锗和金属接触形成的肖特基势垒高度为。求加上5V反向电压时的空间电荷层厚度。反馈 收藏 ...
2DEG的面密度随着AlGaN厚度的增加而增加,但它与AlGaN厚度的关系并不是线性的。当AlGaN厚度达到某个特定值时,2DEG的面密度不在随着厚度的增加而增加,几乎保持在一个稳定的值不再改变。图1给出了电子浓度分布及峰值浓度,比较不同AlGaN势垒层厚度的电子浓度,不考虑应变驰豫时,随着势垒层厚度的增加,电子浓度也随着增加...
一般而言,沟道和势垒层106、108可以由任何半导体材料形成,其中可以操纵带隙以形成第一二维电荷载流子气110。此材料的示例包括iii-v型半导体材料(例如氮化镓、砷化镓等),其中向该材料中引入金属元素(例如铝、铟等)以调整带隙。选择背势垒区104的材料属性(例如厚度、带隙等)以增加第一二维电荷载流子气110中的载流子限域...