势垒层是指在半导体器件中两个不同材料之间形成的电势垒,常用于限制电子和空穴的运动。在algan器件中,势垒层一般由algan材料和其他半导体材料组成,例如gan。 势垒层厚度与温度的关系可以从两个方面来讨论:一是势垒高度,即势垒层两侧材料的能带高度差;二是势垒宽度,即势垒层的厚度。 我们来讨论势垒高度与温度的关系。
铝镓氮势垒层厚度测量结构专利信息由爱企查专利频道提供,铝镓氮势垒层厚度测量结构说明:本实用新型揭示了一种铝镓氮势垒层厚度测量结构,包括:衬底;位于衬底上的异质结,异质结包括氮化镓...专利查询请上爱企查
接着选取势垒层厚度为6nm,分析了不同Ga组分对器件特性的影响,发现随着Ga组分逐渐减小,自发极化强度和极化面电荷密度增大,2DEG浓度最高可达1.42×1013 cm-2.最终确定势垒层厚度为6 nm,Ga组分介于20-50%,Al/In组分比为4.56,从而在实现晶格匹配的同时获得高浓度的2DEG,提高合金质量.本文仿真显示出InAlGaN材料制备...
MicronanoelectronicTechnologyVol.48No.3March2011AlGaN/GaNHEMT势垒层厚度影响的模拟及优化申艳芬a,林兆军b,李惠军a,张明华a,魏晓珂a,刘岩a(山东大学a.信息科学与工程学院;b.物理微电子学院,济南250100)摘要:完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作。使用TCAD软件完成了...
对于某n型半导体构成的金-半阻挡层接触,加上正向电压时,随着电压增加,阻挡层势垒的厚度将逐渐()。A.变宽B.不变C.变窄D.以上都不对
两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。 相关知识点: 试题来源: 解析 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称...
某金属与均匀掺杂的n-Si形成肖待基势垒接触,已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV,ND=51015cm-3,试求在5V反偏电压下的阻挡层厚度、最大电场强度以及单位面积的势垒电容,并画出该接触的1/C2对(VDU)的关系曲线。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:根据阻挡层厚度公式可得 带入数据计算: 根据最大电场强度公式可...
电阻率为10门 如的n型锗和金属接触形成的肖特基势垒高度为 0.3ev。求加上5V反向电压时的空间电荷层厚度。1 相关知识点: 试题来源: 解析 解:d 二 _2「0[(Vs)0 V] 2I qND J14-|||-1-|||-2168.8510-|||-(0.35)*-|||-19-|||-14-|||-=7.910cm二7.9」m-|||-1.610-|||-1.510已知:q(Vs...
结果一 题目 电阻率为的n型锗和金属接触形成的肖特基势垒高度为。求加上5V反向电压时的空间电荷层厚度。 答案 解:已知:,。由图4-15查得时,∴相关推荐 1电阻率为的n型锗和金属接触形成的肖特基势垒高度为。求加上5V反向电压时的空间电荷层厚度。反馈 收藏 ...