MicronanoelectronicTechnologyVol.48No.3March2011AlGaN/GaNHEMT势垒层厚度影响的模拟及优化申艳芬a,林兆军b,李惠军a,张明华a,魏晓珂a,刘岩a(山东大学a.信息科学与工程学院;b.物理微电子学院,济南250100)摘要:完成了对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构设计及器件物理特性的验证等工作。使用TCAD软件完成了...
发现随着Ga组分逐渐减小,自发极化强度和极化面电荷密度增大,2DEG浓度最高可达1.42×1013 cm-2.最终确定势垒层厚度为6 nm,Ga组分介于20-50%,Al/In组分比为4.56,从而在实现晶格匹配的同时获得高浓度的2DEG,提高合金质量.本文仿真显示出InAlGaN材料制备毫米波器件的巨大潜力,为后续InAlGaN/GaN HEMT器件的制备提供理论...
2DEG的面密度随着AlGaN厚度的增加而增加,但它与AlGaN厚度的关系并不是线性的。当AlGaN厚度达到某个特定值时,2DEG的面密度不在随着厚度的增加而增加,几乎保持在一个稳定的值不再改变。图1给出了电子浓度分布及峰值浓度,比较不同AlGaN势垒层厚度的电子浓度,不考虑应变驰豫时,随着势垒层厚度的增加,电子浓度也随着增加。