造成刻蚀缺陷的原因有多种: 光刻胶的质量和厚度不均匀会影响刻蚀效果。如果光刻胶在涂覆过程中出现厚度差异,刻蚀时就容易产生不均匀的缺陷。 刻蚀工艺参数设置不当也是常见原因。例如,刻蚀时间过长可能导致过刻蚀,而时间过短则可能引起欠刻蚀。为了减少刻蚀缺陷,可以采取以下措施: 严格控制光刻胶的涂覆质量,确保其厚...
工艺缺陷的形成与等离子体参数波动、材料特性及设备稳定性存在复杂关联,需从多维度进行系统性分析。 刻蚀缺陷的典型表现形式包括微掩蔽效应导致的残渣堆积、侧壁粗糙度异常、局部过刻蚀或欠刻蚀。微掩蔽效应常由反应腔室内残留颗粒吸附在晶圆表面引起,这些微小颗粒阻挡刻蚀剂与基材接触,形成类似金字塔状的残留结构。某8...
却点是：钻刻严重、对图形的控制性较差。1、不能用于小的特征尺寸。2、会产生大量的化学废液。3、干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。
金融界2024年11月12日消息,国家知识产权局信息显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司取得一项名为“改善刻蚀缺陷的方法”的专利,授权公告号CN 115159449 B,申请日期为2022年7月。 本文源自:金融界 作者:情报员
长鑫存储取得蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法专利，提高对蚀刻机台的检测效率 金融界2023年12月20日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法“，授权公告号CN112902870B，申请日期为2021年1月。专利摘要显示，本公开提供了一种蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，属于...
1 多晶硅栅刻蚀过程中的刻蚀缺陷分析 在多晶硅栅极刻蚀工艺制程中,由于容差要求非常严格,为达到关键尺寸要求、理想的图形、好的刻蚀均匀性以及高的选择比,在刻蚀完硬掩膜层后,如BA RC,H M （Si N/SiO 2）等,才进行多晶硅栅极的刻蚀,根据缺陷(d efe c t)扫描图像显示,所产生的d e fe c t属于典型的部分...
1.一种湿法刻蚀缺陷的检测方法,其特征在于,包括以下步骤: 提供一测试晶圆,对所述测试晶圆的上表面进行一湿法刻蚀工艺; 于经过所述湿法刻蚀工艺后的所述测试晶圆上表面去除一预定厚度; 检测所述去除预定厚度后的测试晶圆以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷。 2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于...
多晶硅栅极刻蚀过程中边缘刻蚀缺陷的研究及改善 DOI:/ 摘要:刻蚀缺陷是半导体制程中最关键和最基本的问题,理想的等离子体刻蚀工艺过程中,刻蚀气体必须完全参与反应而形成气态生成物,最后由真空泵抽离反应室。但实际上,多晶硅栅极等离子体刻蚀过程中,生成的反应聚合物无法由真空泵抽离反应室而附着在刻蚀腔壁上,造成反应室...
EUV刻蚀芯片被指出存在缺陷 Santi / Flickr 根据EETimes报道的一项芯片制造商会议上的研究显示,使用极紫外(EUV)光制造的芯片将受到随机缺陷的干扰,而且没有存在解决的方案。对于7nm或更大尺寸的工艺,EUV制造似乎可以接受,但低于这个尺寸,许多小缺陷就会出现,破坏了芯片并且难以检测到。
在MXenes的湿法刻蚀过程中,会产生本征缺陷,比如金属与碳或氮的空位,然而缺陷形成过程的理解还不够深入。鉴于此,芬兰奥卢大学Hannu-Pekka Komsa教授研究团队在《Chem. Mater.》发表最新研究成果,应用第一性原理计算研究在刻蚀条件下,Ti3C2与Ti2N MXenes中Ti、C与N空位的形成能,同时,详细探究表面的复合多功能化与...