在电化学刻蚀制备MXene中,以MAX相作为工作电极,在特定施加电压下进行化学反应可选择性刻蚀掉Al层得到MXene。 Ti3AlC2在LiCl/KCl中电化学刻蚀的反应方程式: 电化学刻蚀制备Ti3C2Tx (一)中科院上海应用物理研究所王建强教授等人提出了一种新的熔盐辅助电化学蚀刻法,用于合成无氟的 Ti3C2Cl2。实验利用电子作为媒介将阴极...
和湿法刻蚀一样,这种方法也是各向同性的,这意味着它也不适合用于精细的刻蚀。 2)物理溅射 即用等离子体中的离子来撞击并去除多余的氧化层。作为一种各向异性的刻蚀方法,溅射刻蚀在水平和垂直方向的刻蚀速度是不同的,因此它的精细度也要超过化学刻蚀。但这种方法的缺点是刻蚀速度较慢,因为它完全依赖于离子碰撞引起的...
刻蚀法定义 刻蚀法定义 1. 哎呀，说到刻蚀法，这可是个特别有意思的东西！就像是给材料做美容手术一样，把不想要的部分给"刮"掉。2. 打个简单的比方，刻蚀法就像是用橡皮擦擦铅笔字，不过这可不是普通的擦，而是用特制的"化学橡皮擦"，把材料表面有选择地腐蚀掉。3. 在微电子工业里啊，这刻蚀法简直就是个...
②湿法刻蚀 利用腐蚀性液体将不要的材料去除。 1干法刻蚀 干法刻蚀方式: ①溅射与离子束铣蚀 ②等离子刻蚀(Plasma Etching) ③高压等离子刻蚀 ④高密度等离子体(HDP)刻蚀 ⑤反应离子刻蚀(RIE) 与化学蚀刻一样,具有高度选择性,仅蚀刻具有目标成分的材料;具有高度各向异性,从掩模开口开始沿单一方向蚀刻。实现这一目标...
1.物理刻蚀:物理刻蚀是利用物理方法(如离子束、激光、电火花等)进行材料刻蚀的工艺。其原理主要是通过物理作用将材料表面一层逐渐去除,以达到刻蚀的目的。物理刻蚀具有精度高、对材料损伤小等优点,但刻蚀速率较慢,不适合大规模生产。 2.化学刻蚀:化学刻蚀是利用化学反应进行材料刻蚀的工艺。其原理主要是通过选择适当的...
在芯片制造过程中的各工艺站点，有很多不同的工艺名称用于除去晶圆上多余材料，如“清洗”、“刻蚀”、“研磨”等。如果说“清洗”工艺是把晶圆上多余的脏污、particle、上一站点残留物去除掉，“刻蚀”工艺则是在图形化掩膜（多为光刻胶）的帮助下，通过各种复杂的物理和化学作用将被刻蚀材料层特定位置的材料去除或...
刻蚀法制备MOF(金属有机骨架材料)是一种常见的制备方法,具体步骤如下: 1.准备所需的试剂和溶液,包括金属离子前驱体、有机模板剂、溶剂等。 2.将金属离子前驱体和有机模板剂按照一定的比例混合,形成均匀的悬浮液。 3.将悬浮液涂覆在支持物(如玻璃片、光导纤维等)上,形成一层薄薄的涂层。 4.将涂层置于刻蚀...
三、激光刻蚀法。 3.1 脉冲激光刻蚀。 脉冲激光刻蚀就像是用一把超级精细的激光剑在二氧化硅上雕刻。脉冲激光的能量高度集中,就像把力量都汇聚到一点上。它可以在二氧化硅表面刻蚀出非常精细的图案,就像画家在画布上画出精美的画作一样。但是呢,激光刻蚀也有它的局限性,比如刻蚀的深度可能不太好控制,有时候就像盲人摸...
湿法刻蚀是一种刻蚀方法，是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。简单来说，就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。由于...