常规光刻技术是采用波长为 2000～4500 埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗光刻技术蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。可以说，光刻技术是现代半导体、微电子、信息产业的基础，光刻技术直接决定了这些技术的发展水平。自1959年集...
光刻胶是光刻工艺的核心。准备、烘焙、曝光、刻蚀和去除工艺会根据特定的光刻胶性质和想达到的预期结果而进行微调。光刻胶的选择和光刻胶工艺的研发是一项非常漫长而复杂的过程。一旦一种光刻工艺被建立，是极少改变的。1）化学性质 光刻胶的生产既是为了普通的需求，也是为了特定的需求。它们会根据不同光的波长...
1. 接触式光刻（Contact Printing）：这是最早的光刻技术，出现在20世纪50年代。掩模直接接触到硅片上的光刻胶，通过掩模上的图案进行曝光。这种方法的缺点是掩模容易磨损，且分辨率有限。2. 近接式光刻（Projection Printing）：为了解决接触式光刻的局限性，近接式光刻技术应运而生。在近接式光刻中，掩模与光刻...
1、 接触式光刻机 什么是接触式光刻机? 接触式光刻机是20世纪60-70年代集成电路制造中的主要设备,其结构如下图所示: 在曝光过程中,掩模版与涂覆有光刻胶的硅片直接接触。接触式光刻机的缩放比为1:1,分辨率可达到4-5微米。由于掩模和光刻胶膜层反复接触和分离,随着曝...
三、不锈钢蚀刻的工艺流程 1.预处理:清洗不锈钢表面，去除油污、氧化物等杂质。2.涂布光刻胶:在不锈钢表面涂布一层光刻胶，用于保护不需要蚀刻的部分。3.曝光:通过紫外线曝光，使光刻胶在需要蚀刻的部分发生光化学反应。4.显影:用显影液去除曝光后的光刻胶，露出需要蚀刻的不锈钢表面。5.蚀刻:将不锈钢放入蚀刻液...
半导体 | 光刻工艺(上)：表面制备、涂胶、软烘培、曝光 光刻工艺: 从显影到显影检查↓↓↓ 五、显影 晶圆完成对准和曝光后，器件或电路的图案被以曝光和未曝光区域的形式记录在光刻胶上。通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影。显影技术被设计成使之把完全一样的掩模版图案复制到光刻胶上。不良的显影工艺...
光刻工艺流程一览图 1. 衬底预处理（Substrate Pre-treatment）：：① 去除表面污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）以及水蒸气；② 预烘烤至 100~200℃可有助于增强光刻胶与衬底的黏附性；③ 对于亲水性衬底（如，SiO2、玻璃、贵金属膜、GaAs 等），使用增附剂（如，AR 300-80 或 HMDS）增加衬底与...
本文先介绍几种工艺步骤,然后介绍曝光、曝光后烘焙(PEB)和显影的物理/化学模型,并利用这些模型研究光刻工艺中的几个重要的效应。 光刻工艺 光刻工艺的第一步是硅片清洗,采用机械或化学方法去除颗粒、污染物和其他缺陷。然后利用六甲基二硅氨烷(HMDS)处理硅片表面,提高光刻胶对硅片上氧化物(SiO2)的黏附性。之后,...
光刻机 一、光刻机原理介绍 光刻工艺是半导体制程中的核心工艺,通过涂光刻胶和曝光,将掩膜板上的图案“复制”到光刻胶上。光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、… 科技-产业研究 半导体工艺-光刻工艺-Y8 光顾着学习发表于半导体工艺 光刻(1)-光刻机大比拼 xiany...发表于...
在集成电路制造工艺中,光刻是决定集成器件集成度的核心工序,该工序的作用是将图形信息从掩模版(也称掩膜版)上保真传输、转印到半导体材料衬底上。光刻工艺的基本原理是利用涂敷在衬底表面的光刻胶的光化学反应作用,记录掩模版上的器件图形,从而实现将集成器件图形从设计转印到衬底的目的。