CML输入的摆幅为14mAx28.81Ω= 403mV。应在CML接收器前面放置一个10nF交流耦合电容,以阻止来自HCSL驱动器的直流电平。另外,必须确认CML接收器输入内部的自偏置。如果没有CML输入端的自偏置,则必须在CML偏置和传输线端接的PCB上放置一个50Ω的端接电阻到VCC。 编辑 LVDS到CML的转换 LVDS输出通过100Ω电阻终端...
功耗:LVDS差分对摆幅最小,因此功耗也最小,在相同工作速率下,功耗不到LVPECL的三分之一;CML和LVPECL差分对摆幅相对较大,且内部三极管工作于非饱和状态,功耗较大,基于结构上的差异,CML的功耗低于LVPECL。 工作速率:由于CML和LVPECL内部三极管工作于非饱和状态,逻辑翻转速率高,能支持更高的数据速率;同时,由于LVDS差分...
功耗:LVDS差分对摆幅最小,因此功耗也最小,在相同工作速率下,功耗不到LVPECL的三分之一;CML和LVPECL差分对摆幅相对较大,且内部三极管工作于非饱和状态,功耗较大,基于结构上的差异,CML的功耗低于LVPECL。 工作速率:由于CML和LVPECL内部三极管工作于非饱和状态,逻辑翻转速率高,能支持更高的数据速率;同时,由于LVDS差分...
功耗:LVDS差分对摆幅最小,因此功耗也最小,在相同工作速率下,功耗不到LVPECL的三分之一;CML和LVPECL差分对摆幅相对较大,且内部三极管工作于非饱和状态,功耗较大,基于结构上的差异,CML的功耗低于LVPECL。 工作速率:由于CML和LVPECL内部三极管工作于非饱和状态,逻辑翻转速率高,能支持更高的数据速率;同时,由于LVDS差分...
差分晶振一般用在高速数据传输场合,常见的有LVDS、LVPECL、HCSL、CML等多种模式。这些差分技术都有差分信号抗干扰性及抑制EMI的优点,但在性能、功耗和应用场景上有很大的区别。下图列举了最常用的几种差分信号技术和它们的主要参数。 LVDS信号的摆幅低,为±350mv, 对应功耗很低。但速率可达3.125Gbps。总的来说电路...
差分晶振一般用在高速数据传输场合,常见的有LVDS、LVPECL、HCSL、CML等多种模式。这些差分技术都有差分信号抗干扰性及抑制EMI的优点,但在性能、功耗和应用场景上有很大的区别。下图列举了最常用的几种差分信号技术和它们的主要参数。 LVDS信号的摆幅低,为±350mv, 对应功耗很低。但速率可达3.125Gbps。总的来说电路...
差分晶振一般用在高速数据传输场合,常见的有LVDS、LVPECL、HCSL、CML等多种模式。这些差分技术都有差分信号抗干扰性及抑制EMI的优点,但在性能、功耗和应用场景上有很大的区别。下图列举了最常用的几种差分信号技术和它们的主要参数。 LVDS信号的摆幅低,为±350mv, 对应功耗很低。但速率可达3.125Gbps。总的来说电路...
差分晶振一般用在高速数据传输场合,常见的有LVDS、LVPECL、HCSL、CML等多种模式。这些差分技术都有差分信号抗干扰性及抑制EMI的优点,但在性能、功耗和应用场景上有很大的区别。下图列举了最常用的几种差分信号技术和它们的主要参数。 LVDS信号的摆幅低,为±350mv, 对应功耗很低。但速率可达3.125Gbps。总的来说电路...
差分晶振一般用在高速数据传输场合,常见的有LVDS、LVPECL、HCSL、CML等多种模式。这些差分技术都有差分信号抗干扰性及抑制EMI的优点,但在性能、功耗和应用场景上有很大的区别。下图列举了最常用的几种差分信号技术和它们的主要参数。 LVDS信号的摆幅低,为±350mv, 对应功耗很低。但速率可达3.125Gbps。总的来说电路...