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半导体制造工艺的发展，无疑是科技进步的缩影。在这个过程中，薄膜制备、光刻和刻蚀这三项关键技术，既是半导体制程的主要步骤，也是技术发展的主要驱动力。然而，随着设备尺寸的不断缩小和性能的不断提升，未来的半导体制造将会面临更多挑战。如何克服这些挑战，优化和改进这三项关键工艺，将是未来半导体工业的重要课题。
半导体制作过程中,薄膜沉积工艺是在晶圆上沉积一层待处理的薄膜,匀胶工艺把光刻胶涂抹在薄膜上,光刻和显影工艺把光罩上的图形转移到光刻胶,而刻蚀工艺是把光刻胶上图形转移到薄膜,去除光刻胶后,即完成图形从光罩到晶圆的转移。刻蚀利用化学或者物理的方法将晶圆表面附着的不必要的材质进行去除的过程,根据被刻蚀材料...
湿法喷射刻蚀可以将来自刻蚀剂的污染降到最低程度。从工艺控制的观点来看,喷射刻蚀因刻蚀剂可被水冲洗从而可以及时地从表面去掉而更加可控。单晶圆旋转喷射系统有显著的工艺一致性的优点。 喷射刻蚀的缺点在于设备系统的成本,对于压力系统中有毒刻蚀剂的安全考虑以及对用于防止机器老化的防刻蚀材料的要求方面。其优点为,...
在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序,主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等。 光刻的目的是把设计好的图形转印到晶圆上。首先我们在晶圆上层光刻胶,光刻胶(正胶)的特性是经过特定频率光线的照射后,可以溶解在显影液里。然后将设计好图形的掩膜版罩在晶圆之上,用光刻机进行曝光,有些光线透过掩膜版照射到...
最近好多人都被“光刻”“刻蚀”这两个名词给弄糊涂,今天就重点讲解下他们的不同。 整个光刻的流程: 1 晶圆上先将用于刻画电路的材料进行薄膜沉积,在薄膜上沉积光刻胶。 2 根据掩膜版的电路设计,通过光照对晶圆进行光刻,受光刺激的光刻胶留存,其他地方则将需要刻蚀的材料暴露在外,该步骤称作显影。
国产晶圆划片机---博捷芯精密切割机 每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，我们将整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-外延生长-扩散-离子注入。为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺，我们将每期推送微信文章，为大家逐一介绍上述每个步骤。在上一篇文章中提到，为了保护晶片免受各种杂质的...
当然，干法刻蚀也具有选择比低、成本高以及设备复杂等缺点。干法刻蚀按机理划分主要有等离子体刻蚀、反应离子刻蚀和离子溅射刻蚀 3 种 湿法刻蚀 最早的刻蚀技术是利用溶液与薄膜间所进行的化学反应，来去除薄膜未被光刻胶覆盖的部分，从而达到刻蚀的目的，这种刻蚀方式就是所谓的湿法刻蚀技术。湿法刻蚀又称为湿化学腐蚀...
三、 光刻刻蚀:图形绘制 四、 掺杂工艺:灵魂注入 五、 薄膜工艺:阡陌交通 一、晶圆制备,画布始开 半导体工艺的第一步,就是制造晶圆。晶圆是一种很薄而且非常光滑的半导体材料圆片,是集成电路的“画布”。一切后续的半导体工艺都是在这个“画布”上展开。
EUV薄膜容错成本高,成芯片良率的关键 芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上。 这一过程通过光刻来实现,光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。 EUV薄膜是一种超薄薄膜形态的、需要定期更换的高端消耗品,防止在EUV掩模的顶层,同时允许高EUV光透射率。