逻辑芯片:摩尔定律下需要采用多重曝光工艺,重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小线宽 ,由此带动薄膜沉积设备需求成倍增加。对比中芯国际180nm和90nm产线设备用量,PVD和 CVD需求均增长近4-5倍。 存储芯片:NAND 制造工艺从2D向3D转化,堆叠层数也从32/64层向128/196层发展,产品 结构和层数的复杂化同样催生更多薄膜...
根据实现方法的不同,沉积主要分为物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。 图:薄膜沉积中的两种工艺:PVD与CVD PVD是利用物理方法,将材料源气化成气态原子、分子,或电离成离子,并通过低压气体,在基体表现沉积成薄膜的过程。一般用来沉积金属薄膜。 CVD是利用含有...
半导体制作过程中,薄膜沉积工艺是在晶圆上沉积一层待处理的薄膜,匀胶工艺把光刻胶涂抹在薄膜上,光刻和显影工艺把光罩上的图形转移到光刻胶,而刻蚀工艺是把光刻胶上图形转移到薄膜,去除光刻胶后,即完成图形从光罩到晶圆的转移。刻蚀利用化学或者物理的方法将晶圆表面附着的不必要的材质进行去除的过程,根据被刻蚀材料...
国产晶圆划片机---博捷芯精密切割机 每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，我们将整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-外延生长-扩散-离子注入。为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺，我们将每期推送微信文章，为大家逐一介绍上述每个步骤。在上一篇文章中提到，为了保护晶片免受各种杂质的...
薄膜制备 薄膜制备是半导体制程中的基础工艺之一。一般而言，薄膜制备是指在半导体硅片上形成一层厚度均匀、结构一致的绝缘材料或金属薄膜。制备薄膜的方法主要有物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）等。物理气相沉积是一种通过物理方式将靶材料的原子或分子“喷射”到硅片表面，形成薄膜的方法。
光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备是芯片制造过程中的三大核心设备，如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，那么光刻机是打草稿的画笔，刻蚀机是雕刻刀，沉积的薄膜则是构成作品的材料。光刻的精度直接决定了元器件刻画的尺寸，刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工，因此光刻、刻蚀和薄膜沉积设备是芯片加工过程中...
在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序,主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等。 光刻的目的是把设计好的图形转印到晶圆上。首先我们在晶圆上层光刻胶,光刻胶(正胶)的特性是经过特定频率光线的照射后,…
在晶圆制造中,可分为7大工艺,分别为氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗和金属化,所对应的专用设备主要包括氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、清洗设备、离子注入设备、薄膜沉积设备、机械抛光设备等。 集成电路主要资本开支中用于芯片制造设备的设备投资占比约80%。
这个过程需要用到的设备种类繁多,包括氧化炉、涂胶显影机、光刻机、薄膜沉积设备、刻蚀机、离子注入机、抛光设备、清洗设备和检测设备等。在整个半导体芯片制造过程中,光刻是最复杂工艺,光刻工艺的费用约占芯片制造成本的1/3左右,耗费时间占比约为40-50%,光刻工艺所需的光刻机是最贵的半导体设备。光刻机可分为前...
集成电路制造工艺繁多复杂，其中 光刻、刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺，其中光刻的主要作用是将印制于掩膜板 上的电路图复制到衬底晶圆上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本 约为整个硅片制造工艺的 1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～60%。光刻过程可大致分为涂胶、曝光、显影、...