光刻胶在半导体制造中起着至关重要的作用,而刻蚀速度是评价光刻胶质量的重要指标之一。本文将介绍光刻胶刻蚀速度的相关知识,包括刻蚀速度的定义、影响因素、测量方法以及优化策略。
干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶“模具”后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干刻蚀可分为等离子刻蚀、溅射刻蚀和反应性离子刻蚀(RIE, Reactive Ion Etching)。与湿刻蚀不同,这些干刻蚀工艺采用各种不同的方式来刻蚀材料,所以,可以一目了然地说明非等向性和等向性刻蚀的特点。例如,采用...
光刻光刻胶和刻蚀 2.4.1光刻工艺概述 2.4.2光刻胶 光刻胶也称为光致抗蚀剂(Photoresist,PR)。1、光刻胶的类型 凡是在能量束(光束、电子束、离子束等)的照射下,以交联反应为主的光刻胶称为负性光刻胶,简称负胶。凡是在能量束(光束、电子束、离子束等)的照射下,以降解反应为主的光刻胶称为...
另外,刻蚀产生的温度也会加剧光刻胶的交联。 表面碳化 在有氧或氟的等离子体中,光刻胶表面会发生碳化反应,形成一层坚硬且致密的碳化层。这层碳化层能够保护光刻胶内部,而一般的气体无法突破这层碳化层,就难以除去剩下的光刻胶。 副产物沉积 有些干法刻蚀产生的...
1,抗等离子体刻蚀能力差,不如大部分的UV系列光刻胶,尤其在干法刻蚀中与SiO2的选择比仅约为1:1。2,热稳定性较低,在较高温度下容易软化或分解。为什么PMMA的抗等离子体刻蚀能力比光刻胶差?这个需要从二者的结构入手。PMMA的分子链是直链,缺乏耐蚀性较强的环状结构或芳香族基团,等离子体刻蚀中常用的氧气、...
使用聚焦激光将图案直接写入涂有光刻胶的表面 提供高分辨率和灵活性 非常适合制作FOWLP所需的复杂图案 d...
经过曝光和显影处理后,光刻胶形成了不同的形貌。这些形貌对刻蚀过程有着重要的影响。 1.图案边缘的形状:图案边缘的形状会影响到刻蚀时的剖面形貌,而剖面形貌又影响到器件性能。其中,屋脊状边缘、削角边缘和圆形边缘是最常见的三种形状,它们的刻蚀质量也有所不同。 2.胶层厚度和均匀性:光刻胶形貌的均匀性会...
2.4光刻技术、2.4.1光刻技术的概要2.4.2光刻胶2.4.3涂布膏2.4.4位置与曝光2.4.5显影、2.4.1光刻技术的概要、2.4.2光刻胶、能量束(光束以能量束(束、电子束、离子束等)的照射下分解反应为主的抗蚀剂被称为正抗蚀剂,简称为正抗蚀剂。 1、抗蚀剂的类型,抗蚀剂也称为光致抗蚀剂(Photoresist,P R )。
光刻胶是光刻机的防腐蚀剂,是光刻机能否成功刻蚀的重要条件,一般由硅酸盐,钛酸盐,及其它化学液体与光刻胶混合制成,可产生衍射电极,一般分布均匀、外观光滑、无异物、无臭等等。光刻胶可以参考东芝的你吃我的东西,我就给你,不是一定要等到你吃了才给你,我觉得这个想法很好。只不过我觉得如果你要吃完给我的...
浓硫酸与双氧水的混合溶液能去除SU-8光刻胶,但对其他结构损伤严重。高温灰化法采用高温灼烧去除SU-8光刻胶,该方法简单,但对金属器件损伤严重。采用基于O2/CF4混合气体的等离子体反应刻蚀方法,有效去除了完全交联的SU-8光刻胶。采用气体离子化的方式来轰击SU-8光刻胶,保证了器件的完整性。区别于强酸强碱、高温法...