晶体管沟道层缺陷密度对晶体管的漏电流、亚阈值斜率等性能指标有显著影响。当缺陷密度增加时,晶体管的漏电流会增加,从而导致器件功耗增加。同时,缺陷密度增加也会影响亚阈值斜率,使晶体管的开启和关闭时间变慢,从而降低器件的运行速度。 四、减小缺陷密度的方法 ...
该方法包括：在第一工艺下，对外延片衬底进行退火达第一时间，以控制该衬底的体微缺陷密度。方法还包括：在第二工艺下，使衬底生长外延层，第二工艺的温度高于第一工艺的温度。此外，处理外延片的另一种方法包括：在第一时间内对该外延片进行退火，退火的温度为第一温度，在第二时间内对该外延片进行退火，退火的...
大部分情况下密度减小。规则的构型代表能量更低的排列。晶体缺陷，构型变得不规则。换句话说，分子与分子之间的距离变大。密度减小。也有反例存在。水就是。冰融化，水的密度反而比冰大。这是因为冰是比较特殊的晶体，水凝结时放出的能量不仅有水分子之间的势能，还有氢键形成时放出的能量。所以冰晶体缺...
多晶铅卤化物钙钛矿Pb-HaPs，体载流子密度受表面缺陷控制的现象尤为明显，在Pb-HaPs中，这种效应尤为显著，因为它们具有本质上低的电活性体和表面缺陷密度。基于此，魏茨曼科学研究所David Cahen团队提出Pb-HaPs薄膜的体电性能至少在第一时间近似下是通过其表面来控制的。研究团队通过实验数据支持这一观点，并探讨了表面...
晶体缺陷密度∝e^(-E/kT) E为缺陷的形成能 k为玻尔兹曼常数 T为温度
本发明中,在高压高温下使晶体缺陷消失和/或完成退火,并消除应变。适合按照本发明处理的晶体包括,例如,单晶体和单晶集合(聚集)体、梨晶(boule crystals)、电子晶片、金属干扰带(windows)、激光棒(laser rods)、传感器等。 下述是本发明方法中的要素/变量:晶体、压力介质、高压设备、和退火工艺变量,包括压力、温度及...
铌酸锂晶体缺陷结构和性质的理论研究 这两种极化子是CLN晶体具有本征光折变性质的主要原因.此外,CLN晶体中产生大量本征缺陷的根本原因在于Nb的变价,因此控制Nb变价将有利于降低晶体缺陷密度,调控其光电特性.随着缺陷浓度增大,本征点缺陷能够补偿形成电中性的缺陷团簇NbLi4++4VLi-,5NbLi4++... 李丽丽 - 《山东大学...
有谁知道一些测点缺陷密度的方法啊？多谢啦！！
为了获得SECCO缺陷密度降低到小于100个/cm2的绝缘体上半导体衬底,按照小于2.3×106个原子/cm2的剂量执行注入,并且所述减薄包括在低于925℃的温度下进行的氧化步骤. In order to obtain a reduced SECCO defect density of the semiconductor-on-insulator substrate is less than 100 / cm2, and perform in ...