该TOPCON电池制备方法包括在硅片衬底的背面制备掺杂层；在所述掺杂层的背面沉积第一隧穿层；在所述第一隧穿层的背面沉积钝化层；其中，在所述第一隧穿层的背面沉积钝化层的步骤中，所述钝化层采用本征氢化非晶硅材料。本征氢化非晶硅能够提供良好的表面钝化效果，可以有效减少晶体硅表面上的缺陷态密度，从而降低载流子...
然而,Al原子的掺杂导致了VBM和CBM上的两种缺陷状态将Al-C3B的带隙值从0.720 eV降低到0.286eV.进一步研究Al掺杂的C3B电子结构,计算了态密度(DOS)。如图2a, Al的掺杂导致总态密度的部分偏移向左。一些杂质态也诱导出现,新的峰值出现在约为0.14 eV的区域,1.56 eV, 6.39 eV和8.04 eV。 新峰在价带顶和导带底部...
该TOPCON电池制备方法包括在硅片衬底的背面制备掺杂层;在所述掺杂层的背面沉积第一隧穿层;在所述第一隧穿层的背面沉积钝化层;其中,在所述第一隧穿层的背面沉积钝化层的步骤中,所述钝化层采用本征氢化非晶硅材料。本征氢化非晶硅能够提供良好的表面钝化效果,可以有效减少晶体硅表面上的缺陷态密度,从而降低载流子复合...