闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(l...
通过提供大量的井和基板接触,可以避免闩锁效应。锁存效应在早期CMOS工艺中非常重要。但这已经不是问题了。近年来,工艺改进和设计优化已经消除了闭锁的风险。闭锁是指电源引脚与接地之间的低阻抗路径。这种情况将由触发事件(电流注入或过电压)引起,但一旦触发,即使触发条件不再存在,低阻抗路径仍然存在。此低阻抗路径可能...
本书侧重介绍闩锁的起因、物理机制和模型，以及避免闩锁的保护措施，因而具有较强的实用性。本书既可作为从事微电子学研究、设计的科技人员参考，也可作为大专院校电子工程、半导体专业师生的参考书。图书目录 序言：本书的写作缘由 致谢 第一章 引言 1.1 CMOS：崛起的VLSI工艺 1.2 闩锁的预防：历史的分析 1.3 ...