期间,“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上,北京大学于彤军教授做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告,分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。 报告指出,研究了SiC衬底上AlN异质PVT生长的形貌控制规律,明确了SiC表面台阶是 AlN台阶式生长并且取得高质量生长表面的...
赞 分享 科研之友微信新浪微博Facebook分享链接 于彤军 北京大学, 教授 / 科研之友号:49667085 科研之友人员唯一编号 2 项目 213 成果 5443 阅读 0 下载 1207 被引 19 H-指数 主页 成果 相关人员 更多
于彤军副教授 教育背景: 研究方向:宽禁带半导体(凝聚态物理与材料物理研究所) 联系方式:Emailtongjun_at_pku.edu.cn 个人主页: 办公地点:友情链接|网站流量统计pky?2010北京大学物理学院版权所有院长信箱:yym@pku.edu.cn地址:北京大学物理楼邮编:100871网站维护:hubin@phy.pky.edu.cn电话:86-10-6275-1732传真:...
本文介绍了GaN基白光LED的应用背景,国内外现状,分析了目前白光LED市场化面临的技术难点,提出了高质量GaN基材料的生长,高功率管芯的制备以及高效率白光荧光粉的获得是LED白光照明市场化的关键的结论.以氮化镓为基础的高亮度发光材料被称为第三代半导体技术,被认为是二十一世纪最大的商机,是新的经济增长点,是高技术竞...
核心提示:北京大学教授于彤军做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告,分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。 AlN单晶衬底以其优异的性能和潜在的应用前景引起了人们的广泛研究兴趣. 物理气相输运(PVT)是最适合AIN衬底制备的方法。在大尺寸SiC单晶上异质生长AlN籽晶,并在随后的...
于彤军 于彤军，女，包头医学院第二附属医院主任医师，1967年毕业于内蒙古医学院医学系。个人简介 于彤军，从事儿科工作近40年，对儿科的各类疾病有自己的独到见解，尤其对于肾脏疾病、急救、新生儿疾病更为专长。擅长领域 肾脏疾病、急救、新生儿疾病，对儿科的各类疾病有自己的独到见解。