北京大学物理学院 被引频次 1835 成果数 204 H指数 24 G指数 38领域: 物理学 期刊 83.3% 会议 12.3% 专著 0% 其它 4.4% 总计 204篇 2007年成果数20 2012年被引量223 全部年份 全部类型 全部作者 按时间降序 Enhanced light extraction by optimizing surface microstructure for AlGaN-based deep ultraviolet...
期间,“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上,北京大学于彤军教授做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告,分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。 报告指出,研究了SiC衬底上AlN异质PVT生长的形貌控制规律,明确了SiC表面台阶是 AlN台阶式生长并且取得高质量生长表面的...
期间,“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上,北京大学于彤军教授做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告,分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。 报告指出,研究了SiC衬底上AlN异质PVT生长的形貌控制规律,明确了SiC表面台阶是 AlN台阶式生长并且取得高质量生长表面的前提...
赞 分享 科研之友微信新浪微博Facebook分享链接 于彤军 北京大学, 教授 / 科研之友号:49667085 科研之友人员唯一编号 2 项目 213 成果 5407 阅读 0 下载 1207 被引 19 H-指数 主页 成果
于彤军,1999年至2001年在日本邮政省通讯放送机构仙台研究中心任特聘研究员,现为北京大学物理学院教授,博士生导师。长期从事GaN基宽禁带半导体发光材料、物理和器件研究,在氮化物纳米异质外延生长机理研究、缺陷和应力控制、AlGaN深紫外发光偏振光学特性的机理和光场调控方面取得一系列成果。2016年起开展AlN单晶PVT设备建设和晶...
北京大学教授于彤军:大尺寸AlN单晶生长研究 核心提示:北京大学教授于彤军做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告,分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。 AlN单晶衬底以其优异的性能和潜在的应用前景引起了人们的广泛研究兴趣. 物理气相输运(PVT)是最适合AIN衬底制备的方法。在...
赞 分享 科研之友 微信 新浪微博 Facebook 分享链接 于彤军 北京大学, 教授 / 科研之友号:49667085 科研之友人员唯一编号 2 项目 213 成果 5407 阅读 0 下载 1207 被引 19 H-指数 主页 成果产品服务 科研之友 科研之友机构版 科创云 站内浏览 科研成果 科研人员 科研机构 服务支持...