二硫化钨是一种直接带隙材料,其导带和价带的极值点在相同的晶格点上。因此,它具有较高的光吸收率和电导率,在光电器件制造中具有很大的应用价值。 总之,二硫化钨是一种直接带隙的材料,具有优异的力学、光学和电学性质,在光电领域、传感器制造和润滑材料等多个领域有广泛的应用前景。
2016 年 7 月 第十八届中国高压科学学术会议文集 四川²成都 193 H 2H 相二 硫化钨 单层 制备和 高压拉曼及 带隙调控 研究 韩博 ,宫元波,黄晓丽, 周强* * ,李芳菲 吉林大学物理学院,超硬材料国家重点实验室 *E-mail:zhouqiang@jlu.edu.cn 近年来,类石墨烯过渡金属二硫族化合物如 WS 2 由于具有层数...
二硫化钨是一种直接带隙材料,其导带和价带的极值点在相同的晶格点上。因此,它具有较高的光吸收率和电导率,在光电器件制造中具有很大的应用价值。 总之,二硫化钨是一种直接带隙的材料,具有优异的力学、光学和电学性质,在光电领域、传感器制造和润滑材料等多个领域有广泛的应用前景...
在本征状态下,也就是多层或块体形态,二硫化钨表现为间接带隙半导体,其带隙宽度约为1.3电子伏特(eV)。这种状态下的二硫化钨虽然也具有一定的半导体特性,但在光电器件方面的应用受到一定限制。 然而,当二硫化钨被剥离至单层时,其性质发生显著变化。单层二硫化钨转变为直接带隙半导体,且带隙宽度增加到约2电子伏特(...
带隙是指固体材料中价带和导带之间的能量差,它决定了材料的光电性质。单层二硫化钨的带隙通常在1.3至1.9电子伏特之间,这一特性使其在电子器件、光电器件和能源转换等领域具有广泛的应用前景。 在电子器件方面,单层二硫化钨的高迁移率和低开关电压使其成为下一代高性能晶体管的理想候...