单层二硫化钨的带隙通常在1.3至1.9电子伏特之间,具有优异的电子和光学性能,使其成为电子器件、光电器件和能源转换等领域的理想材料。 单层二硫化钨是一种二维材料,因其独特的带隙结构而备受关注。带隙是指固体材料中价带和导带之间的能量差,它决定了材料的光电性质。单层二硫化钨的带隙通常在1.3至1.9电子伏特之间,...
2016 年 7 月 第十八届中国高压科学学术会议文集 四川²成都 193 H 2H 相二 硫化钨 单层 制备和 高压拉曼及 带隙调控 研究 韩博 ,宫元波,黄晓丽, 周强* * ,李芳菲 吉林大学物理学院,超硬材料国家重点实验室 *E-mail:zhouqiang@jlu.edu.cn 近年来,类石墨烯过渡金属二硫族化合物如 WS 2 由于具有层数...
带隙是指固体材料中价带和导带之间的能量差,它决定了材料的光电性质。单层二硫化钨的带隙通常在1.3至1.9电子伏特之间,这一特性使其在电子器件、光电器件和能源转换等领域具有广泛的应用前景。 在电子器件方面,单层二硫化钨的高迁移率和低开关电压使其成为下一代高性能晶体管的理想候...