提出自旋轨道矩与磁隧道结内建磁场间协同作用驱动机制,实现同时具备高能效和自动复位特性神经元器件的构筑。同时验证了自由层内倾斜磁各向异性有效抑制磁畴壁沃克崩溃机理,进而消除畴壁逆向运动。 关键词:Advanced Science ,自旋轨道矩(SOT),新型神经元器件,磁随机存储器(MRAM),微电子器件与集成技术重点实验室 自旋...
该器件可以实现高达1 ns的写入速度(图2(e)),并能够在100℃高温环境下稳定工作。此外,片内不同器件的电学特性具有较好的一致性(图2(f))。该研究成果提出了一种具有可行性的无外场辅助写入SOT-MTJ方案,并有助于实现高密度无外场SOT-MTJ阵列集成,为新一代大容量SOT-MRAM奠定了基础。 相关研究成果以“Field-Free...
该研究成果提出了一种具有可行性的无外场辅助写入SOT-MTJ方案,并有助于实现高密度无外场SOT-MTJ阵列集成,为新一代大容量SOT-MRAM奠定了基础。 相关研究成果以“Field-Free Deterministic Writing of Spin-Orbit Torque Magnetic Tunneling ...
该器件可以实现高达1ns的写入速度(图2(e)),并能够在100℃高温环境下稳定工作。此外,片内不同器件的电学特性具有较好的一致性(图2(f))。该研究成果提出了一种具有可行性的无外场辅助写入SOT-MTJ方案,并有助于实现高密度无外场SOT-MTJ阵列集成,为新一代大容量SOT-MRAM奠定了基础。 相关研究成果以“Field-FreeD...
阻变存储器(RRAM)、铁电存储器(FeRAM)、相变存储器(PCM)、闪存和磁随机存储器(MRAM)等不同类型的非易失性存储器都显示出对神经网络应用的前景,但同时也带来了与非线性、能效、面积开销和可靠性相关的固有挑战。这些挑战使得定制非易失性存储器变得困难,导致学习准确性的损失,并阻碍实现特定的突触或非线性激活功能...
阻变存储器(RRAM)、铁电存储器(FeRAM)、相变存储器(PCM)、闪存和磁随机存储器(MRAM)等不同类型的非易失性存储器都显示出对神经网络应用的前景,但同时也带来了与非线性、能效、面积开销和可靠性相关的固有挑战。这些挑战使得定制非易失性存储器变得困难,导致学习准确性的损失,并阻碍实现特定的突触或非线性激活功能...
5. 何世坤,浙江驰拓科技有限公司,题目:STT-MRAM产业现状 6.赵巍胜,北京航空航天大学,题目:反铁磁存储器芯片(SOT-ARAM):从基础研究到产业应用 7.江万军,清华大学,题目:斯格明子存储器件 8.蔡凯明,华中科技大学,题目:自旋磁性存储器的集成和应用 9. 杨陆,中国电子科技集团公司第九研究所,题目:磁性功能器件应用进展...
图| 晶圆尺度InSb/CdTe SOT-MRAM原型器件阵列以及巨大的自旋轨道耦合强度和SOT效率 上海科技大学是该成果的第一完成单位,信息学院后摩尔中心寇煦丰课题组2019级硕士生薛丰铧,2019级博士研究生张勇,研究助理廖立扬和中科院物理所博士生张雨为文章共同第一作者,寇煦丰教授和杨雨梦教授为文章的通讯作者。该研究获得了科技部...
关键词:Advanced Science ,自旋轨道矩(SOT),新型神经元器件,磁随机存储器(MRAM),微电子器件与集成技术重点实验室 自旋轨道矩与磁隧道结内建磁场间协同作用驱动物理机制与神经元模拟特性: (a). Ta/SAF/W/CoFeB/MgO/CoFeB/W/Ru/Ta垂直各向异性膜堆功能层磁化翻转特性、内建磁场表征及各有效场耦合图示; (b). ...
团队利用自旋-轨道耦合和界面 Dzyaloshinskii-Moriya interaction协同效应, 实现了可编程的多态突触器件且具有高可靠性。系统的第一性原理计算证实,5d-3d原子间距的减小增强了Dzyaloshinskii-Moriya反对称相互作用,结合高能效自旋轨道矩(SOT)全电控磁畴壁驱动,可实现稳定可靠的畴壁钉扎与退钉扎。