罗庆 中国科学院微电子研究所, 副研究员 / 科研之友号:82549686 科研之友人员唯一编号 3 项目 148 成果 2650 阅读 24 下载 1201 被引 21 H-指数 主页 成果
基于此,中国科学院微电子研究所刘明院士、罗庆研究员以及中科院物理研究所杜世萱研究员发现了一种富含铪锆[Hf(Zr)]的兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)的菱形铁电 Hf(Zr)1+xO2材料。X 射线衍射与扫描透射电子显微镜相结合显示,过量的 Hf(Zr) 原子插层在中空位点内。作者发现,插层原子扩展了晶格,增加了面内和面外应...
基于此,中国科学院微电子研究所刘明院士、罗庆研究员以及中科院物理研究所杜世萱研究员发现了一种富含铪锆[Hf(Zr)]的兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)的菱形铁电 Hf(Zr)1+xO2材料。X 射线衍射与扫描透射电子显微镜相结合显示,过量的 Hf(Zr) 原子插层在中空位点内。作者发现,插层原子扩展了晶格,增加了面内和面外应...