1. 晶体质量高:坩埚下降法晶体生长技术能够获得高质量的晶体,因为晶体生长过程中坩埚的温度和温度梯度可以被准确控制,从而避免了晶体中的杂质和缺陷。 2. 生长速度快:坩埚下降法晶体生长技术具有快速生长的特点,因为该技术可以通过调节坩埚下降速度和温度梯度来控制晶体的生长速度。 3. 易于控制:坩埚下降...
答坩埚下降法主要用于生长光学和闪烁晶体;可以采用坩埚下降或结晶炉沿坩埚上升两种方式。 坩埚下降法的优点: 1.晶体密封生长,熔体挥发少,成分容易控制; 2.适宜生长大直径单晶,可以一次生长多根晶体; 3.工艺条件容易掌握,易于实现自动化。 坩埚下降法的缺点: 1.不宜生长结晶时体积增大的晶体; 2.生长过程难以确定,所...
1. 率先采用坩埚下降法生长Bi12GeO20晶体,制备出尺寸达55×55×80 mm3的大尺寸、高光学质量晶体。 2. 探讨了两种主要宏观缺陷(枝蔓状和管状包裹体)的成因及过程,提出了消除坩埚下降法生长Bi12GeO20晶体中宏观缺陷的技术途径,显著地提升了晶体的光学质量和...
在坩埚下降法晶体生长中,首先需要准备好溶液。溶液中的物质可以是单一的化合物,也可以是多种化合物的混合物。然后将溶液倒入坩埚中,坩埚通常是由陶瓷或石英制成的,具有较高的耐热性和化学稳定性。接下来,将坩埚放入炉中,通过加热使溶液达到熔点,然后缓慢降温,使其逐渐结晶。 在坩埚下降法晶体生长中,温度的控制非常...
具体方法是将坩埚中溶液的分布控制在一个特定的范围内,并采用不同的降温曲线和速度控制来实现多晶体生长。例如,可以通过在坩埚底部开孔来控制晶体生长的位置和数量,也可以通过有序的加热和降温步骤来甄别不同晶体的生长。 三、坩埚下降法晶体生...
文章通过坩埚下降法成功生长了直径2英寸的4.2%镱离子掺杂钙铌镓石榴石(Yb∶Ca₃(NbGa)₅O₁₂)晶体。晶体结构为立方晶系,晶胞参数为12.493 Å。晶体在近红外波长范围内透过率达到80%,吸收峰半峰全宽为47.15 nm,吸收截面为1.53 × 10^-20 cm^2。在980 nm激光激发下,晶体在1031 nm处显示出发射峰。
坩埚下降法晶体生长方法的应用非常广泛,例如在半导体材料领域,可以用于生长硅、锗、砷化镓等材料的晶体;在光学材料领域,可以用于生长氧化锌、氧化铟等材料的晶体;在生物材料领域,可以用于生长蛋白质、DNA等生物大分子的晶体。 总之,坩埚下降法晶体生长方法是一种简单、有效的晶体生长方法,可以控制晶体的形态、尺寸和纯度...
下降法晶体生长炉,其工作原理(也称为布里奇曼法或坩埚下降法)是将高温固相合成的多晶原料(通常放置一颗或多颗籽晶)放置在具有特定形状的坩埚内,并密封。这个坩埚随后被放置在晶体生长炉内,加热系统使炉内环境升温,坩埚内原料在超过晶体熔点的温度下熔化。随后,晶体生长炉以一定的速率缓慢下降,当坩埚通过比较大的温度...
[晶体生长]坩埚下降法是2016年全国科学技术A名词审定委员会公布的化学名词。定义 常用的晶体生长方法之一。将原料置于圆柱型的坩埚中，缓慢下降通过1个具一定温度梯度的加热炉，炉温控制在略高于材料的熔点附近。在通过加热区域时，坩埚中的原料被熔融，当坩埚持续下降时，底部的温度先下降到熔点以下开始结晶，晶体随...