坩埚下降法晶体生长方法的应用非常广泛,例如在半导体材料领域,可以用于生长硅、锗、砷化镓等材料的晶体;在光学材料领域,可以用于生长氧化锌、氧化铟等材料的晶体;在生物材料领域,可以用于生长蛋白质、DNA等生物大分子的晶体。 总之,坩埚下降法晶体生长方法是一种简单、有效的晶体生长方法,可以控制晶体的形态、尺寸和纯度...
坩埚下降法晶体生长具有许多优点。首先,它可以生长出高质量、大尺寸的晶体,这对于一些需要大尺寸晶体的应用非常重要。其次,这种方法可以控制晶体的形状和取向,从而获得特定的晶体结构。此外,坩埚下降法还可以生长出复杂的晶体结构,如多晶体、纤维状晶体等。 坩埚下降法晶体生长是一种非常重要的晶体生长方法,它在许多领域...
1. 晶体质量高:坩埚下降法晶体生长技术能够获得高质量的晶体,因为晶体生长过程中坩埚的温度和温度梯度可以被准确控制,从而避免了晶体中的杂质和缺陷。 2. 生长速度快:坩埚下降法晶体生长技术具有快速生长的特点,因为该技术可以通过调节坩埚下降速度和温度梯度来控制晶体的生长速度。 3. 易于控制:坩埚下降...
综上所述,光学晶体不能用坩埚下降法生长的主要原因是该方法无法满足光学晶体生长过程中对温度梯度和纯度的高要求。坩埚下降法的温度控制不够精确,可能导致晶体性能不佳;同时,由于坩埚材料可能引入杂质,从而影响晶体的纯度。因此,在制备光学晶体时,需要采用其他更为适合的方法,如...
答坩埚下降法主要用于生长光学和闪烁晶体;可以采用坩埚下降或结晶炉沿坩埚上升两种方式。 坩埚下降法的优点: 1.晶体密封生长,熔体挥发少,成分容易控制; 2.适宜生长大直径单晶,可以一次生长多根晶体; 3.工艺条件容易掌握,易于实现自动化。 坩埚下降法的缺点: 1.不宜生长结晶时体积增大的晶体; 2.生长过程难以确定,所...
文章通过坩埚下降法成功生长了直径2英寸的4.2%镱离子掺杂钙铌镓石榴石(Yb∶Ca₃(NbGa)₅O₁₂)晶体。晶体结构为立方晶系,晶胞参数为12.493 Å。晶体在近红外波长范围内透过率达到80%,吸收峰半峰全宽为47.15 nm,吸收截面为1.53 × 10^-20 cm^2。在980 nm激光激发下,晶体在1031 nm处显示出发射峰。
1. 率先采用坩埚下降法生长Bi12GeO20晶体,制备出尺寸达55×55×80 mm3的大尺寸、高光学质量晶体。 2. 探讨了两种主要宏观缺陷(枝蔓状和管状包裹体)的成因及过程,提出了消除坩埚下降法生长Bi12GeO20晶体中宏观缺陷的技术途径,显著地提升了晶体的光学质量和...
首先,我们先来熟悉坩埚下降法。坩埚下降法是一种温度控制方法,实质上是将温度升高或降低一定程度,以改变晶体生长速率。在坩埚下降法中,晶体生长受到控制,以免过快长出较大的晶体,这样可以较好地控制晶体生长势能,从而改善晶体质量。 其次,该方法应用于晶体生长中得到了广泛的应用。坩埚下降法可有效控制晶体的生长势能,...
[晶体生长]坩埚下降法是2016年全国科学技术A名词审定委员会公布的化学名词。定义 常用的晶体生长方法之一。将原料置于圆柱型的坩埚中，缓慢下降通过1个具一定温度梯度的加热炉，炉温控制在略高于材料的熔点附近。在通过加热区域时，坩埚中的原料被熔融，当坩埚持续下降时，底部的温度先下降到熔点以下开始结晶，晶体随...