三氯氢硅和四氯化硅的物化性质 三氯氢硅SiHCl31.别名?英文名硅氯仿、硅仿、三氯硅烷；Trichlorosilane、Silicochloroform．2.用途单晶硅原料、外延成长、硅液、硅油、化学气相淀积、硅酮化合物制造、电子气。3.制法(1)在高温下Si和HCl反应。(2)用氢还原四氯化硅(采用含铝化合物的催化剂)。4.理化性质分子量：135...
三氯氢硅和四氯化硅的精馏方法 将含有液态氯硅烷和微量液体杂质和微量固体杂质的混合物通入蒸发器,除去固体杂质,气体冷凝为液相依次通入第一精馏塔,第二精馏塔,从第二精馏塔顶分离出物质通入第三精馏塔,塔底釜液通入第五精馏塔;第三精馏塔的塔底釜液通入第四精馏塔;从第四精馏塔顶得到高纯度三氯氢硅产品;...
金融界2024年1月17日消息,据国家知识产权局公告,唐山三孚硅业股份有限公司申请一项名为“一种同时生产高纯度三氯氢硅和四氯化硅的方法“,公开号CN117401685A,申请日期为2023年12月。 专利摘要显示,本发明提出了一种同时生产高纯度三氯氢硅和四氯化硅的方法,包括以下步骤:S1:向氮气保护下的硅粉中通入氯化氢气体,...
我国目前制备多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法.由于三氯氢硅还原法具有一定优点,被广泛应用.其简化的工艺流程如图所示:(1)制备三氯氢硅的反应为
4、根据权利要求3所述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其特征在于:其1#、2#、3#精馏塔的塔顶温度分别为60~90°C、50~80°C、60~90°C。 5、根据权利要求4所述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其特征在于:其1#、2#、3#三座精馏塔所用冷凝器的冷媒均为普通循环水。 说明书 技术领域 本发明涉及一...
用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法,涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先,在0.5-0.8大气压的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)进行精炼纯化,其纯度达到9-10个9;同时对氢气也进行纯化到5-6个9;然后,将上述物料按照硅转化率0.08%及氯氢比0.15%所规定的流量,喷入氢还原...
我国目前制备多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、 硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。由于三氯氢硅氢还原法具有一定优点,被广泛应用。其简化的工艺流程如下图所示:
我国目前制备多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。由于三氯氢硅氢还原法具有一定优点,被广泛应用。其简化的工艺流程如下图所示。(1) 由纯SiHCl3制备高纯硅的化学方程式为。该生产工艺中可以循环使用的物质是(至少写出两种)。 (2) 由于SiH4具有易提纯的特点,因此硅烷热分解法是制备高纯...
三氯氢硅和四氯化硅的物化性质三氯氢硅SiHCl31.别名?英文名硅氯仿、硅仿、三氯硅烷;Trichlorosilane、 Silicochloroform.2.用途单晶硅原料、外延成长、硅液、硅油、化学气相淀积、硅酮化合物制造、电子气。3.制法(1)在高温下Si和HCl反应。(2)用氢还原四氯化硅(采用含铝化合物的催化剂)。4.理化性质分子量:...
电子级三氯氢硅主要应用于硅外延片及碳化硅行业。电子级二氯二氢硅主要应用于逻辑芯片和存储芯片及硅基前驱体等领域。电子级四氯化硅主要用于薄膜沉积与蚀刻工艺，随着半导体制程的先进化，电子级四氯化硅被广泛使用于逻辑芯片与存储芯片的蚀刻工艺流程。投资者：请简单介绍公司新产品电子级二氯二氢硅、电子级三氯氢硅...