先进封装技术受到热捧 目前业界领头羊都在3D封装技术上面努力着,在三星推出X-Cube时,全球主要的三家半导体代工厂均已经拥有3D或2.5D的封装技术了。前有台积电的CoWoS,Intel的Foveros,现在三星也公布了自家的3D封装技术X-Cube。显而易见的是,未来我们买到的电子产品中,使用3D封装技术的芯片比例会越来越高。 台积电的...
X-Cube可灵活应用于未来芯片之上，包括5G、AI和高性能计算等领域的芯片均可使用该技术。三星表示X-Cube已经在自家的7nm和5nm制程上面通过了验证，计划和无晶圆厂的芯片设计公司继续合作，推进3D封装工艺在下一代高性能应用中的部署。三星将会在下星期的Hot Chips峰会上公布关于X-Cube的更多信息。在三星推出X-Cube之...
在Intel、台积电各自推出自家的3D芯片封装技术之后，三星也宣布新一代3D芯片技术——X-Cube，基于TSV硅穿孔技术，可以将不同芯片搭积木一样堆叠起来，目前已经可以用于7nm及5nm工艺。关于3D芯片封装，了解半导体芯片技术的玩家应该不陌生了，现有的芯片都是2D平面堆叠的，随着芯片数量的增多，占用的面积越来越大，不利于...
IT之家 8 月 13 日消息 几个月前，三星开始使用其全新的 5 纳米 EUV 技术制造芯片，但这并不意味着该公司没有改进其旧技术。今天早些时候，这家韩国科技巨头表示，其新的 X-Cube 3D IC芯片封装技术已经可以使用，该技术可以同时提供更快的速度和更好的能源效率。三星的合同芯片制造部门三星晶圆厂已经完成了使...
三星电子宣布,已经成功将 3D 叠加技术应用于使用 7nm 极紫外(EUV)芯片制造工艺制造的测试芯片上。 该技术被称为 X-Cube,三星使用这种技术将 SRAM 堆叠在逻辑芯片的顶部。这与传统方法不同,传统的方法是将用于高速缓存的 SRAM 放在 CPU 和 GPU 等逻辑芯片的同一平面上。
三星电子成功研发3D 晶圆封装技术「X-Cube」,宣称此种垂直堆叠的封装方法,可用于7 纳米制程,能提高晶圆代工能力,要借此和业界领袖台积电一较高下。 三星官网13日新闻稿称,三星3DIC封装技术X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via,TSV),能让速度和能效大跃进,以协助解决新一代应用程式严苛的表现需求,如5G、人工...
据台湾媒体报道,三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”,称这种垂直堆叠的封装方法,可用于7纳米制程,能提高该公司晶圆代工能力。 三星的3DIC封装技术X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV),能让速度和能源效益大幅提升,以协助解决次世代应用严苛的表现需求,如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和...
据悉,X-Cube是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案。三星在7nm制程的测试过程中,成功利用 TSV 技术将SRAM 堆叠在逻辑芯片顶部,从而释放了空间以将更多的内存封装到更小的占位空间中。通过3D集成,超薄封装设计显著缩短了芯片之间的信号路径,从而最大程度地提高了数据传输速度和能效。
IT之家 8 月 13 日消息 几个月前,三星开始使用其全新的 5 纳米 EUV 技术制造芯片,但这并不意味着该公司没有改进其旧技术。今天早些时候,这家韩国科技巨头表示,其新的 X-Cube 3D IC芯片封装技术已经可以使用,该技术可以同时提供更快的速度和更好的能源效率。
8月13日,三星电子宣布,公司的3D IC封装技术eXtended-Cube(X-Cube)已通过测试,可立即提供给当今最先进的工艺节点。 利用三星的硅直通(TSV)技术,X-Cube实现了速度和功率效率的巨大飞跃,有助于满足下一代应用(包括5G,人工智能,高性能计算以及移动和科创贷设备应用)的严格性能要求。