不同于以往多个芯片平行封装,全新的X-Cube3D封装允许多枚芯片堆叠封装,使得成品芯片结构更加紧凑。而芯片之间的通信连接采用了TSV技术,而不是传统的导线。 据三星介绍,目前该技术已经可以将SRAM存储芯片堆叠到主芯片上方,以腾出更多的空间用于堆叠其他组件,目前该技术已经可以用于7nm甚至5nm制程工艺的产品线,也就是说...
将芯片从2D平铺封装改成3D立体式堆叠式封装已经成为目前半导体业界的共识，这种在第三维度上进行拓展的封装技术能够有效降低整个芯片的面积，提升集成度。目前业界领头羊都在3D封装技术上面努力着，前有台积电的CoWoS（实际上是2.5D），后有Intel的Foveros，现在三星也公布了自家的3D封装技术，名为X-Cube。X-Cube的全...
在Intel、台积电各自推出自家的3D芯片封装技术之后，三星也宣布新一代3D芯片技术——X-Cube，基于TSV硅穿孔技术，可以将不同芯片搭积木一样堆叠起来，目前已经可以用于7nm及5nm工艺。关于3D芯片封装，了解半导体芯片技术的玩家应该不陌生了，现有的芯片都是2D平面堆叠的，随着芯片数量的增多，占用的面积越来越大，不利于...
IT之家 8 月 13 日消息 几个月前，三星开始使用其全新的 5 纳米 EUV 技术制造芯片，但这并不意味着该公司没有改进其旧技术。今天早些时候，这家韩国科技巨头表示，其新的 X-Cube 3D IC芯片封装技术已经可以使用，该技术可以同时提供更快的速度和更好的能源效率。三星的合同芯片制造部门三星晶圆厂已经完成了使...
三星电子宣布,已经成功将 3D 叠加技术应用于使用 7nm 极紫外(EUV)芯片制造工艺制造的测试芯片上。 该技术被称为 X-Cube,三星使用这种技术将 SRAM 堆叠在逻辑芯片的顶部。这与传统方法不同,传统的方法是将用于高速缓存的 SRAM 放在 CPU 和 GPU 等逻辑芯片的同一平面上。
三星电子成功研发3D 晶圆封装技术「X-Cube」,宣称此种垂直堆叠的封装方法,可用于7 纳米制程,能提高晶圆代工能力,要借此和业界领袖台积电一较高下。 三星官网13日新闻稿称,三星3DIC封装技术X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via,TSV),能让速度和能效大跃进,以协助解决新一代应用程式严苛的表现需求,如5G、人工...
三星的3D IC封装技术X-Cube,让速度和能源效益大幅提升-三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示,三星的新3D整合技术,确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节点时,也能稳定联通。
据悉,X-Cube是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案。三星在7nm制程的测试过程中,成功利用 TSV 技术将SRAM 堆叠在逻辑芯片顶部,从而释放了空间以将更多的内存封装到更小的占位空间中。通过3D集成,超薄封装设计显著缩短了芯片之间的信号路径,从而最大程度地提高了数据传输速度和能效。
IT之家 8 月 13 日消息 几个月前,三星开始使用其全新的 5 纳米 EUV 技术制造芯片,但这并不意味着该公司没有改进其旧技术。今天早些时候,这家韩国科技巨头表示,其新的 X-Cube 3D IC芯片封装技术已经可以使用,该技术可以同时提供更快的速度和更好的能源效率。
三星公布自家3D芯片封装技术X-Cube 8月13日,三星电子宣布,公司的3D IC封装技术eXtended-Cube(X-Cube)已通过测试,可立即提供给当今最先进的工艺节点。 利用三星的硅直通(TSV)技术,X-Cube实现了速度和功率效率的巨大飞跃,有助于满足下一代应用(包括5G,人工智能,高性能计算以及移动和科创贷设备应用)的严格性能要求...