单层细胞 Nand K9F2G08U0D-SIB0 EOL 单层细胞 Nand K9F4G08U0F-5IB0 容量 4 GB 架构 x8 VCC 范围 2.7 ~ 3.6 V I/O 速度 40 Mbps 封装类型 FBGA 针脚数目 63 工作温度 -40 ~ 85 °C ECC On-Chip ECC 生产状态 EOL 了解更多 比较跳过以进行比较 ...
三星K9F2G08U0D-5IB0 NAND Flash SLC 2Gb 63FBGA 内存/闪存芯片 深圳市时时发控股有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市南山区 ¥24.00 电子配件储存芯片K9F4G08U0F-SCB0 SAMSUNG 512MB FLASH 深圳市虞达美电子有限公司19年 月均发货速度:暂无记录 ...
转载于:三星系列NandFlash SLC and MLC SLC and MLC的区别: 1.K9F系列的是SLC结构的NANDFLASH 2.K9G系列的是MCL结构的NANDFLASH 3.三星 Samsung SLC 32Gb K9N 三星Samsung SLC 16Gb K9W 三星Samsung MLC 16Gb K9L 三星Samsung MLC 16Gb K9H 三星Samsung SLC 8Gb K9K 三星Samsung MLC 8Gb K9L ...
SD NAND 4Gb (512MB )三星FLASH LGA8 8X6mm 存储芯片 SLC 深圳市慧芯电子信息有限公司5年 回头率:50% 广东 深圳市 三星slc芯片厂家 深圳皓晟达文化科技有限公司 hsddz9523|1年 | 主营产品:电子元器件;集成电路;电容;连接器;电子元器件;集成电路;电容;连接器 ...
全新FBNL74A61KSBABWP-12AL(PFB29) NAND FLASH闪存存储器芯片 ¥ 10.00 M378A2K43EB1-CWE DIMM 模块 DDR4 SAMSUNG 三星 16GB ¥ 600.00 SN74LV4052ADR 2 通道模拟多路复用器 IC 4:1 德州仪器 TI 全新原厂 ¥ 3.20 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: SAMSUNG/三星 封装: TS0P4...
在日本福岛外海发生7.3 级强震之后,日本半导体厂商因为中断生产期间所造成的产品减少供应,其已对当前 NAND Flash市场供应吃紧造成了影响,这将使得NAND Flash的报价可能较之前进一步的提高。 NAND Flash的缺货涨价是当前半导体产业的缩影。近年来,存储芯片一直都是集成电路市场份额占比较大的类别产品,2018年存储芯片占全球...
SLC、MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个...
全新原装SLC芯片,256Mx 8 Bit NAND Flash Memory,容量256M,高速,省电,产品适用于MP3,MP4,U盘,数码相框,闪存记忆卡,录音笔,通讯设备、GPS等本公司专业从事Sdram,DDR,Nand-flash Memory芯片的销售,产品适用于通讯行业、消费类电子行业,诸如SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质、个人数字助理...
三星重新使用SLC作为Z-NAND的构建模块 三星公司对其高性能,低延迟的非易失性存储产品Z-NAND进行了一些新的讨论。 Z-NAND旨在与英特尔用于构建Optane SSD和非易失性DIMM的3D Xpoint内存竞争。根据三星的说法,Z-NAND是3D V-NAND闪存的单级单元的实施名称,几乎支持每一种固态存储产品。
没想到,美光今天推出X100 NVMe企业级SSD产品,基于3D Xpoint存储技术(到底第一代还是第二代没有申明)直接叫板Intel傲腾,同时也无惧市面上最顶尖的SLC SSD,包括三星Z-Nand、东芝XL -Flash等。 性能方面,美光称,X100的顺序读写速度超过9GB/s,QD1队列深度下的随机读速为250万 IOPS,延迟8μs。