在主控方面，三星 990 EVO使用了三星自主研发的Piccolo S4LY022控制器。这款控制器利用了先进的5纳米制程技术，在保证性能稳定性的同时还能实现更低的功耗控制。至于存储颗粒，三星 990 EVO搭载了三星经过改良的V6版本TLC NAND存储颗粒，颗粒丝印型号为K9DVGB8，每颗颗粒具有1TB的存储容量。官方给出的2TB总写入质保量...
实际上，990 EVO采用PCIe 5.0×2通道，并不是完整的PCIe 5.0×4，并兼容PCle 4.0×4通道。SSD固件版本为0B2QKXJ7，支持S.M.A.R.T功能，采用NVMe 2.0标准。此次的990 EVO采用的是三星的第六代V-NAND TLC颗粒，主控为5nm工艺的Piccolo。我们首先来看基于PCIe 4.0接口的990 EVO测试成绩。CrystalDi...
日前,三星电子总裁兼内存业务负责人Jung-Bae Lee在闪存峰会上宣布,三星正在开发第9代V-NAND储存颗粒,堆叠超300层,计划在2024年量产。 据了解,三星该颗粒采用 V-NAND 双堆栈架构,比竞争对手的3D NAND 颗粒拥有更多层,例如SK 海力士 即将推出的321层颗粒。这意味着三星的颗粒会有更高单体容量,更好的性能,尤其是I...
三星也充分考量了这部分用户的实际需求，推出了一款全新的三星990 EVO固态硬盘，这款硬盘使用了三星全新设计的控制器以及第六代V-NAND颗粒，采用PCIe4.0*4并且还兼容PCIe 5.0*2通道，性能可以达到顺序读取速度5000MB/s以及顺序写入速度4200MB/s，不论是台式机还是笔记本电脑扩容，在性能和能耗表现上，都拥有极为出...
首先来看颗粒，三星采用的闪存颗粒是V-NAND，这是一种3D NAND闪存颗粒，采用的是三星独有的电荷撷取技术(CTF，Charge Trap Flash)生产的。这种CTF技术最大的优势，就是可以将代表数据的电荷存储在绝缘层，电荷不容易逃逸。这种技术相比其它厂家最常用的浮栅技术（将电荷存储在半导体里），数据稳定性更高，而且保存的...
02 第六代V-NAND颗粒的技术创新 那么，应用于三星980PRO上的全新第六代V-NAND技术又有哪些技术创新呢？总结下来就是两点，一个是堆叠层数更多，存储数据的上限更高；另一个是性能更强，延迟更小，能够提供更高强劲的存储表现。在堆叠层数方面，第六代V-NAND颗粒应用了前文提到的三星独创的CTF路线，也就是“通道...
据TrendForce 集邦和韩媒消息,他们已经拿到了三星未来4-5年的NAND 产品规划(路线图),最近的计划是在2026年推出至少拥有400层的 V-NAND 储存颗粒。 目前业内普遍认为,超过300层后会遇到巨大挑战,良品率会猛降。为了解决这一问题,三星正在开发一种改进型工艺和架构,使用“粘合”垂直BV NAND 技术,预计第10代V-NA...
总之，SK海力士开始量产238层颗粒的NANDFlash芯片无疑是半导体芯片产业的一大突破。然而，长存在芯片研发和市场竞争方面的优势将不复存在，需要进一步加强自身的研发实力和市场竞争力。固态芯片制程的升级也给国产芯片的发展带来了挑战和机遇，需要加大力度推动自主创新和技术进步。只有这样，国内芯片产业才能在全球舞台上有更...
4TB版本使用单面NAND颗粒，这极大节省了空间，普通版更容易兼容超薄笔记本电脑等多种主机设备。三星自研主控依然保留了镍涂层，同时在硬盘背面设计了散热标签，可以有效地进行散热管理。三星的动态散热保护(DTG)技术进一步确保SSD的温度保持在最优水平，减少长时间运行可能出现的性能波动。值得一提的是，三星自研控制器基于8...