罗马尼亚G. Chindris等提出了一种基于PSpice的SiC MOSFET物理模型[11],从器件内部机理映射至外部特性,在软件自带MOSFET内核的基础上进行了改进;瑞士G. Kampitsis等在Simulink环境建立了SiC MOSFET模型[12],其实质也是基于自带MOSFET模型构建外围补偿电路。文献[13]的SiC MOSFET建模也是基于PSpice自带的MOSFET模型进行改进...