一块掺杂施主浓度为 21016cm-3 的硅片,在 920oC 下掺金到饱和浓度,然后经氧化等处理,最后此硅片的表面复合中心 1010cm-2。①计算体寿命,扩散长度和
一块掺杂施主浓度为21016cm-3的硅片,在920oC下掺金到饱和浓度,然后经氧化等处理,最后此硅片的表面复合中心1010cm-2。 计算体寿命,扩散长度和表面复合速度。 如果用光照射硅片并被样品均匀吸收,电子-空穴对的产生率是1017cm-3s-1,试求表面的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少? 如有侵权请联系告知...
一块掺杂施主浓度为21016cm-3的硅片,在920oC下掺金到饱和浓度,然后经氧化等处理,最后此硅片的表面复合中心1010cm-2。计算体寿命,扩散长度和表面复合速度。如果用光照射硅片并被样品均匀吸收,电子-空穴对的产生率是1017cm-3s-1,试求表面的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少?___欢迎您的下载,资料...