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温度300k时+掺有施主杂质浓度1015cm-3的n型硅+其费米能级处于
温度300k时+掺有施主杂质浓度1015cm-3的n型硅+其费米能级处于
2025-02-07 23:55:09
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温度300k时掺有施主杂质浓度1015cm 3的n型硅其费米能级处于
室温下 300k 在硅中掺入磷 求杂质90%以上电离的掺杂浓度上限
施主浓度为10 13cm-3的n型硅
一块掺杂施主浓度为2 * 10 16cm 3的硅片在920
一块掺杂施主浓度为2*10 16cm -3的硅片 在920
一块掺杂施主浓度为2*10 16的硅片
对于一定的n型半导体材料 在温度一定时 减小掺杂浓度 费米能级会
已知一掺杂p型硅半导体其受主浓度为2 . 5 × 1016cm 3则其自由电子浓度为
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