スマートフォンや自動車、電車や変電所など、電気を使うあらゆるものの省エネを効率的に実現します。 ラインアップ SiCパワーデバイス SiC MOSFET 高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC (シリコンカーバ...
昭和電工はパワー半導体の材料であるケイ素(SiC)ェピタキ シャルウェハー(ェピウェハー)の 高品質グレード「ハイグレードエピ(HGE)」において,月産3,000枚の生産体制を確立し,量産を開始した。 机译:昭和电工已经建立了每月生产3,000张用于生产功率半导体材料的硅(SiC)外延晶片(Epi晶片)的高质量“...
昭和電工は、有限責任事業組合エシキャット·ジャパン(茨城県つくば市)からパワー半導体用SiC(炭化ケイ素)エピタキシャルウエハー事業を2008年末までに譲り受ける。 譲受後量産を開始し、市場の拡大を促進するとともに事業規模の拡張を図る。 机译:昭和电工将在2008年底之前接管Esicat Japan(茨城县筑...
キーサイトWBGデバイスアナライザ/テスター(モデルPD1550A)は、SiC半導体パワーモジュールの再現性と信頼性の高い測定を提供します。 革新的なパルス絶縁プローブ技術により、ハイサイドゲート電圧の特性評価の課題を解決します。 最大1,360 V、1,000 Aのパワーモジュールの試験が可能で...
独インフィニオンテクノロジーズはApplied Power Electronics Conference(APEC)において、先進的なGaN、SiC、およびSiベースのパワー半導体テクノロジーを前面に打ち出した展示を行います。インフィニオンは3月4日から8日まで、テキサス州サンアントニオのHenry B. Gonzalez Convention Center(ブース...
マレーシアのクリムにある拠点に、20億ユーロ以上を投じて第3の施設を建設します。この新施設の稼働によって、SiC、GaNをベースとした製品で、新たに年間20億ユーロの売上増が可能になります。 この拡張は、インフィニオンの長期的な製造戦略に沿ったもので、クリムの200 mmウエハー製造によっ...
(自動車/民生用電子機器、IT通信、軍事用電子機器、窒化ガリウム(GaN))により区分される、材料(シリコン/ゲルマニウム、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN))、エンドユーザー産業(自動車、家電、IT&通信、軍事&航空宇宙、電力、産業、その他エンドユーザー産業)、地域(米国、欧州、日本、中国、韓国...
机译:用SiC(碳化硅)开发宽带间隙半导体功率装置 - 宽带间隙半导体 获取原文 获取原文并翻译 | 示例 获取外文期刊封面目录资料 开具论文收录证明 >> 页面导航 摘要 著录项 相似文献 相关主题 摘要 SiCパワーデバイスの研究開発は、90年代前半に単結晶ウエハが市販されたのを契機に盛hになり、2002年前半には...