The semiconductor industry is developing new power process technologies using Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) that are smaller and more efficient, with lower losses and higher breakdown voltage. Silicon (Si) offerings in this space are very mature, but we continue to see noteworthy...
このビデオでは、NIのGabriel Lieserがワイドバンドギャップデバイスの信頼性テストであるDRBを説明します。SiCおよびGaNコンポーネントで信頼性テストを実行する2つの方法と、テストの設定および実行時の考慮事項を説明します。 NIのエコシステムでソリューションを構築 ...
昭和電工はパワー半導体の材料であるケイ素(SiC)ェピタキ シャルウェハー(ェピウェハー)の 高品質グレード「ハイグレードエピ(HGE)」において,月産3,000枚の生産体制を確立し,量産を開始した。 机译:昭和电工已经建立了每月生产3,000张用于生产功率半导体材料的硅(SiC)外延晶片(Epi晶片)的高质量“...
MT システムは、パワー半導体(IGBT、MOSFET、ダイオード、サイリスタ、SiC、GaNなど)のパッケージ、およびディスクリート、モジュール、基板、の静的・動的パラメータを検証する、構成変更可能なテスト装置です。 テスト・プログラム・ファイルに保存されている膨大な一連のテストを一度...
昭和電工は、有限責任事業組合エシキャット·ジャパン(茨城県つくば市)からパワー半導体用SiC(炭化ケイ素)エピタキシャルウエハー事業を2008年末までに譲り受ける。 譲受後量産を開始し、市場の拡大を促進するとともに事業規模の拡張を図る。 机译:昭和电工将在2008年底之前接管Esicat Japan(茨城县筑...
多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクスは、ルノー・日産自動車・三菱自動車(アライアンス)の電気自動車に搭載される先進的なオンボード・チャージャ(OBC)に向けた高効率SiCパワー半導体のサプライヤに選ばれました。 ル...
回路設計技術 Si電力 素子 中枢素子 今後 地位 揺 無 電気 消費 爆発的増大 変換 流通過程 多様化 電力素子 更 性能向上 求 IGBT以来 必要性 感 次世代CMOS 論理集積回路 分野 高移動度 候補 n - InGaAs InAs p - Ge 注目 EverythingonSi構想 範囲内 材料 Si 補強材 SiC GaN 代表 半導体 果 Si ...
独インフィニオンテクノロジーズはApplied Power Electronics Conference(APEC)において、先進的なGaN、SiC、およびSiベースのパワー半導体テクノロジーを前面に打ち出した展示を行います。インフィニオンは3月4日から8日まで、テキサス州サンアントニオのHenry B. Gonzalez Convention Center(ブース...
高電流、高帯域幅で動作するWBG半導体パワーモジュールのテストには、GaNとSiCのJEDEC JC-70 WBG規格を満たすパルス絶縁プローブ技術が必要です。 キーサイトWBGデバイスアナライザ/テスター(モデルPD1550A)は、SiC半導体パワーモジュールの再現性と信頼性の高い測定を提供します。 革新的な...
The semiconductor industry is developing new power process technologies using Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) that are smaller and more efficient, with lower losses and higher breakdown voltage. Silicon (Si) offerings in this space are very mature, but we continue to see noteworthy...