項目試験方法条件単位 HIPER E R-1755E 当社汎用 FR-4R-1766 ガラス転移温度 (Tg) DSC A °C 133 140 熱分解温度 (Td) TGA A °C 370 315 熱膨張係数(タテ方向) α1 IPC TM-650 2.4.41 A ppm/℃ 11-13 11-13 熱膨張係数(ヨコ方向) α1 13-15 13-15 ...
高多層耐熱性 誘電特性 抵抗内蔵銅箔仕様 一般特性 項目試験方法条件単位MEGTRON6 R-5775(N) 低誘電率ガラスクロス MEGTRON6 R-5775(K)/R-5775(G) 一般ガラスクロス ガラス転移温度(Tg)DSCA°C185185 熱膨張係数(厚さ方向)α1IPC-TM-650 2.4.24Appm/°C4545 ...
当社のハロゲンフリー材料は、JPCA-ES-01-2003などの定義に拠るものです。 含有率が塩素(Cl):0.09wt%(900ppm)以下、臭素(Br):0.09wt%(900ppm)以下、塩素(Cl)+臭素(Br):0.15wt%(1500ppm)以下 上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。
電気自動車や産業機器の高出力化に伴い、機器の最大動作温度(MOT:Maximum Operating Temperature)が150℃まで求められる場合は基板材料にも同様にRTI=150℃が求められ、FR-15.1クラスのニーズが高まっていくことが予想されます。 High CTI材かつFR-15.1を満たすR-3566Dは耐トラッキング性・耐熱性に...
高周波領域での低伝送損失を実現 電子回路基板材料 ハロゲンフリー超低伝送損失多層基板材料XPEDION1 R-5515X/R-5515 高熱伝導率・低伝送損失ハロゲンフリー多層基板材料XPEDION T1 R-5575X/R-5575 当社のハロゲンフリー材料は、JPCA-ES-01-2003の定義に拠るものです。
曲げ弾性率 ヨコ方向:JIS C 6481 (GPa)- 銅箔引き剥がし強さ 1oz:IPC-TM-650 2.4.8 (kN/m (lb/inch))0.8(4.6) (Cu:RT) 耐燃性:UL法,C-48/23/5094V-0 サンプル厚さ0.5mm 上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。- *1 試験方法:TMA-...
176°C (R-5725) T288(銅付) 30分 (R-5725) 商品紹介動画 伝送損失パフォーマンス(MEGTRONシリーズ) 伝送損失比較 高多層耐熱性 誘電特性 はんだフロート耐熱性 IST(Interconnect Stress Test) 一般特性 項目試験方法条件単位MEGTRON4 R-5725MEGTRON4S ...
Low Dk glass cloth ガラス転移温度(Tg)DMAA°C220220220220 熱膨張係数 厚さ方向α1IPC-TM-650 2.4.24Appm/°C35355050 α2240240270270 T288(銅付)IPC-TM-650 2.4.24.1A分>120>120>120>120 比誘電率(Dk)14GHz平衡型円板 共振器法C- 24/23/50-3.193.223.083.13 ...
一般特性 項目試験方法条件単位 MEGTRON M R-5735 ガラス転移温度(Tg)DSCA°C195 熱膨張係数(厚さ方向)α1IPC-TM-650 2.4.24Appm/°C31 α2240 T288(銅付)IPC-TM-650 2.4.24.1A分35 比誘電率(Dk)13GHz平衡型円板共振器法C-24/23/50-3.75 ...
高多層耐熱性 誘電特性 IST(Interconnect Stress Test) 一般特性 項目試験方法条件単位 Halogen-free MEGTRON2R-1577 ガラス転移温度(Tg) DSC A °C 170 熱膨張係数(厚さ方向) α1 IPC-TM-650 2.4.24 A ppm/°C 34 α2 200 T288(銅付) IPC-TM-650 2.4.24.1 A 分 25 比誘電率...