高等半导体物理
第四章半导体表面 第四章半导体表面 第四章半导体表面 第四章半导体表面 第四章半导体表面 第四章半导体表面 第四章半导体表面 第四章半导体表面 §4.1半导体的表面 表面对半导体各中物理过程有重要影响，特别是对许多半导体器件的性能影响更大。一、理想表面和实际表面 理想表面：指表面层中原子排列的对称性与体内...
高等半导体物理.pdf,第二章 半导体的电输运性质 输运性质是指在外场如电场、磁场、热场及压力场等作用下载流子的运动规律。这个过程涉 及的宏观现象有:电阻、霍尔效应、温差电现象、磁阻、热导及压阻等。本章主要讨论的是在电 场作用下载流子的运动。 按照能带论,在严格周
高等半导体物理Chapter 2 半导体异质结构物理 第二章半导体异质结构物理§2.1 半导体异质结构的能带排列 §2.2 半导体异质结构的伏安特性 §2.3 半导体异质结构的电子器件
半导体激光器又称激光二极管(laserdiode,LD),是以半导体材料为工作物质的一类激光器件。物质的类激光器件。 体积小,重量轻; 驱动功率和电流较低; 驱动功率和电流较低; 效率高,工作寿命长; 可直接电调制; 可直接电调制; 易于与各种光电子器件实现光电子集成; 与半导体制造技术兼容可大批量生产 与半导体制造技术兼容...
1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.3 半导体中电子的运动 有效质量 1.4 本征半导体的导电机构 空穴 1.5 回旋共振 1.6 硅和锗的能带结构 1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构 习题 参考文献 ...
高等半导体物理参考答案习题参考答案 第一章 1)求基函数为一般平面波、哈密顿量为自由电子系统的哈密顿量时,矩阵元 和 的值。 解:令,, ,有: 2)证明 ,,和 均为整数。 证:由Bloch定理可得: 考虑一维情况,由周期性边界前提,可得: 同理可证 。 3)在近自由电子近似下,由 推导出 。 解:令,, 令,即有 ...
《高等学校工科电子类规划教材:半导体物理学(第4版)》全面地论述了半导体物理的基础知识,内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级、载流子的统计分布、非平衡载流子及载流子的运动规律;讨论了p—n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题;介绍了半导体的光、热、磁、压阻...
1962 半导体激光器发明 1968 硅 MOS 器件发明及大规模集成电路实现产业化大生产 1970 * 超晶格概念提出,Esaki (江歧), Tsu (朱兆祥) * 超高真空表面能谱分析技术相继出现,开始了对半导体表面、界面物理的研究 1971 第一个超晶格 AlxGa1-xAs/GaAs 制备,标志着半导体材料的发展开始进入人工设计的新时代。 1980 ...