有三种主要的饱和电流计算方式:贝尔公式、逆变器和模拟计算方式。贝尔公式是最常用的,并且可以很容易地计算饱和电流,即: I_s = V_{cc}/ (R_s + R_d) 其中,I_s是饱和电流,V_{cc}是电源电压,R_s是输入电阻,R_d是发射机电阻。 这个公式很容易理解,简单来说就是发射机电容电流与电源电压,输入电阻和发...
Ic_sat = β Ib_max 其中: Ic_sat:集电极临界饱和电流 β:三极管的直流放大倍数 Ib_max:三极管的最大基极电流 推导过程 在三极管的饱和区,集电极电流Ic与基极电流Ib的关系可以用以下公式表示: Ic = β Ib 其中: Ic:集电极电流 β:三极管的直流放大倍数 Ib:基极电流 当基极电流达到最大值Ib_max时,集电极电流...
它可以通过以下公式进行计算: Is= Aq( T2e(-φB) / (kT) ) Is:饱和光电流 A:伯特曼常数,约为1.204×1015S/m2K2 q:电子电荷量,约为1.6×10-19C T:绝对温度,单位为K k:玻尔兹曼常数,约为1.38×10-23J/K φB:金属样品的逸出功 2.饱和光电流大小影响因素 光照射到金属样品表面后产生光电效应时,...
1.饱和基极电流计算公式 饱和基极电流可以通过以下公式进行计算: 在三极管处于饱和状态时,基极电流的计算公式是:Ib = (Vcc - Vbe) / Rb。其中Vcc为电源电压,Rb为基极电阻,Vbe为基极-发射极电压。 这个公式是基于晶体管工作在饱和区时的近似模型得出的。根据该模型,当晶体管处于饱和状态时,基极电流与集电极电流之间...
饱和光电流计算公式为I=ne/t。饱和光电流公式计算公式：I=ne/t，光电效应的光电流：金属物体在光的照射抄下发射电子，使金属带正电的现象叫光电效应。饱和光电流是指由光电效应所产生的电流，是在一定频率与强度的光照射下的最大光电流。属受到光照时，金属中电子吸收光子并利用这个光子的能量脱离金属...
集电极临界饱和电流的计算公式为:Ics=β*Ibs,其中 Ics 为集电极临界饱和电流,β为三极管的电流放大倍数,Ibs 为基极饱和电流。 影响集电极临界饱和电流的因素 影响集电极临界饱和电流的因素主要有以下几个方面: 1. 三极管的结构和材料。不同的三极管结构和材料,其集电极临界饱和电流也会有所不同。 2. 基极电流。基极...
该公式是I=0.5*k*（W/L）*（Vgs - Vth）^2。I表示饱和区电流，k表示MOS管的电流增益系数，W/L表示MOS管的宽度和长度比，Vgs表示栅极电压，Vth表示阈值电压。饱和区电流是指在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的饱和区工作时的电流。这个区域通常出现在MOSFET的漏极和源极之间的电压超过其...
饱和光电流公式:I=U/R。金属受到光照时,金属中电子吸收光子并利用这个光子的能量脱离金属中正电荷的束缚飞出,这种现象称为光电效应。附求由光电效应所艺产生的电流称为光电流。饱和光电来自流是在一定频率与强度的光照射下的最大光电流。 科学上把林顺单位时间里通过导体任一横截面的电量叫做电流强度,简称电流,电...
饱和光电流计算公式 饱和光电流计算公式为I=ne/t。饱和光电流公式计算公式:I=ne/t,光电效应的光电流:金属物体在光的照射抄下发射电子,使金属带正电的现象叫光电效应。饱和光电流是指由光电效应所产生的电流,是在一定频率与强度的光照射下的最大光电流。属受到光照时,
H=NIK（N匝数，I电流，K系数），那u=LI/N/S/NIK，L=uN^2SK，匝数N不变，面积S不变，系数K不变，而磁导率u会随电流增大而较小，当饱和时磁导率u趋近于1，再增加，那磁导率u趋近于0，从公式看，电感是与磁导率正比的，即电流一直增加，电感值也趋近于0，没有感值，失去电感作用。