场效应管饱和区的电压条件:在饱和区,场效应管的栅极-源极电压(Vgs)要小于或等于临界电压(Vth),且栅极-漏极电压(Vds)要大于或等于零。这样的电压条件可以使得场效应管的导通状态稳定,从而实现饱和区的工作。 场效应管饱和区的电流条件:在饱和区,场效应管的漏极电流(Ids)要大于或等于饱和电流(Idsat),同时栅极-...
【解析】 三极管的三种状态也叫三个工作区域,即:截止 区、放大区和饱和区。(1)、截止区:三极管工作 在截止状态,当发射结电压Ube小于0.6-0.7V的 导通电压,发射结没有导通集电结处于反向偏置, 没有放大作用。(2)、放大区:三极管的发射极加 正向电压,集电极加反向电压导通后,b控制Ic, Ic与b近似于线性关系,在...
场效应管饱和区是指场效应管输出特性曲线族中漏源电压较大，且漏极电流基本不随漏源电压增加而变化的部分。场效应管饱和区是指场效应管输出特性曲线族中漏源电压U(DS)较大，且漏极电流I(D)基本不随U(DS)增加而变化的部分。这段特性曲线近似水平，故又叫“恒流区”。它表示场效应管预夹断后I(D)和U(DS)...
进入饱和区,水平路径是陷阱,垂直路径才是正道 垂直路径:Vce不变,使得Ib从0逐渐增大,工作点垂直上升,从截止区出发,穿过放大区,进入饱和区后,Ic虽然还是增大,但是增速趋缓,直至Ic基本不变,即Ic趋于饱和。 所以,垂直路径进入“饱和区”,才是理解“饱和”的正确方式。 饱和的对象,不是Ic与Vce的关系,而是Ic与Ib的关...
3、饱和区:当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,超出了放大区,进入了饱和区。 上面三个工作区中,截止区和放大区的原理和曲线都好理解,本文不讨论。唯独饱和区,会让大多数同学感到非常困惑,按照上面教科书关于饱和区的解释,是说在这个区域中Ic不再随着Ib的增大而增大,但观察饱和区的...
饱和区的要求是: 发射极和集电极都正偏,也就是Vce<Vbe 图3-6 三极管示意图 三极管一共有 3 个极,从图 3-6 来看,横向左侧的引脚叫做基极(base),中间有一个箭头,一头连接基极,另外一头连接的是发射极 e(emitter),那剩下的一个引脚就是集电极 c(collector)了。这是必须要记住的内容,死记硬背即可,后边慢...
本文主要讲mos管饱和区电流公式,但是我们先来看一下mos场效应管四个区域详解。 1)可变电阻区(也称非饱和区) 满足Ucs》Ucs(th)(开启电压),uDs《UGs-Ucs(th),为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小,沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时,ip与uDs成线性关系,该区域近似为一组直线。这时...
在三极管饱和区,三极管的电流增大到最大值,管子的电压基本不再变化,且三极管的输入电压和输出电压之间的关系呈现出非线性的特点。此外,当三极管进入饱和区时,其漏极与集电极之间的电压降很小,只有几个伏特,因此三极管在饱和区的功耗很小。 三、三极管饱和区的工作原理 三极管...
速度饱和区中载流子速度随电场增加趋于稳定 。饱和区一般意味着相关物理量达到相对稳定的水平 。在MOSFET器件里存在明显的速度饱和区现象 。电子迁移率在速度饱和区会出现不同于线性区的变化 。饱和区的形成与材料特性有紧密的内在联系 。速度饱和效应会影响器件的电流 - 电压特性 。温度对速度饱和区和饱和区的范围有...