SIMS分析有时根据入射离子束中离子的通量(每平方厘米样品中撞击的离子数量)来区分“静态”和“动态”。与静态SIMS相比,动态SIMS使用的主离子通量要高得多,因此样品的穿透力更强(纳米到微米)。这也为分析低浓度离子(如掺杂剂和低丰度同位素)提供了更高的灵敏度。...
飞行时间-二次离子质谱仪（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry，简称TOF-SIMS）是一种基于质谱的表面分析技术。其原理是基于一次离子与样品表面相互作用（如下图）。高能一次离子束（如Ga+，Bi3+， Arn+，Cs+等）轰击样品表面，在轰击区域产生包含样品表面成分信息的带电粒子即离子，这些带电离子经过质...
一、基本原理 飞行时间-二次离子质谱仪(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,简称TOF-SIMS) 是一种基于质谱的表面分析技术。其原理是基于一次离子与样品表面相互作用(如下图)。高能一 次离子束(如Ga+ ,Bi3+ , Arn+ ,Cs+等)轰击样品表面,在轰击区域产生包含样品表面成分信息的 带电粒子即离子,这些...
TOF-SIMS的主要原理:采用初级离子源(可以是Ga+、Au+、Bi+、C60等),入射到样品表面激发出二次离子,有原子离子和分子离子等;TOF-SIMS的原理简单讲就是赛跑的观念:给所有激发出的离子相同的动能(3 keV)去加速,遵循能量守恒公式:不同质量的离子有不同的速度,越重的离子飞行速度越慢,当飞行距离一定时,其飞行时间...
TOF-SIMS的工作原理是脉冲化的聚焦一次离子源轰击测试样品表面,在样品表面溅射出二次离子,然后对这些初速几乎为零(大约0～100eV)的二次离子加速到一定的能量,通常1～3keV,飞行一段距离后到达探测器,重的二次离子跑的慢,轻的二次离子跑的快,然后根据飞行时间反推出二次离子的质荷比,从而得到有关固体表面的成分...
飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS)的工作原理是将聚焦的一次离子脉冲光栅束光化到感兴趣的区域,从而产生与样品表面前几层材料特性相关的二级离子。通过准确测量检测到的离子质量,可以识别并确定样品表面存在的化学物质。获得的数据可以以质谱的形式或特定物质的离子图像的形式呈现。如果结合离子溅射(使用相同的一次离子枪...
TOF-SIMS，全称为飞行时间二次离子质谱仪（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry），是一种精密的分析技术。它的工作原理是通过在样品表面施加一次离子激发，产生极其微小的二次离子。这些离子因为其质量差异，会在飞行过程中经历不同的时间到达探测器。根据它们到达探测器的时间，科学家们能够精确...
SIMS 原理 对于一次SIMS分析,固体表面被几keV能量的一次离子轰击,一次离子的能量会通过原子碰撞和所谓的级联碰撞传递给样品表面原子。部分能量被传递回表面,使表面原子或分子化合物克服表面结合能。 级联碰撞与表面分子的相互作用足够轻柔,甚至可以使质量高达12,000 u 的非挥发性大分子完整地从表面分离并逸出,且不产生...