抑菌实验中预扩散是指在培养基上提前施加一定量的抗生素药物，使药物在培养基表面形成一个浓度递减的梯度。在抑菌实验中，预扩散（pre-diffusion）是指在培养基上提前施加一定量的抗生素药物，使药物在培养基表面形成一个浓度递减的梯度。接着，将微生物分别点于不同的预扩散培养基中，然后进行培养。通过...
预扩散和再扩散的目的为了控制表面浓度和扩散深度。预扩散和再扩散是1993年公布的电子学名词。公布时间1993年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处电子学名词第一版，目的是为了控制表面浓度和扩散深度。
法汉-汉法词典 prédiffusion 用户正在搜索 préstratégique,présuccession,présumable,présumé,présumer,présupposé,présupposer,presupposition,présupposition,présure, 相似单词 预考,预科,预可行性,预控继电器,预亏,预扩散,预扩散的,预览,预冷冻,预冷器, ...
答:两步工艺分为预淀积(预扩散)、再分布(主扩散)两步。预淀积是惰性气氛下的恒定源扩散,目的是在扩散窗口硅表层扩入总量Q一定的杂质。再分布是氧气氛或惰性气氛下的有限源扩散,将窗口杂质再进一步向片内扩散,目的是使杂质在硅中具有一定的表面浓度Cs、分布C(x)、且达到一定的结深xj。
F拧开磷源源瓶上方手动开关(先开出气口,再开进气口)使气路 流畅(开关方向见开关上边标志),二、 预扩散A开启设备前面板 “净化 ”开关。B打开面板上所用炉管的电源开关(向右旋即为开),实验顺序一 般先是预扩散(使用炉管 2,下管),后是再分布(使用炉管 1,上管)。C开启工控机(计算机),开关位置在前面板右...
ELECTRONICS WORLD 探 索与观察 ・ 铝硅欧姆接触电阻率与预扩散温度的关系 国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心 陈树华 【摘要】本文给出了欧姆接触的评价方法且实验得到了低欧姆接触电阻率的样品,随着预扩散温度的从1100℃变化到 -6 2 -6 2 -6 2 1150℃,欧姆接触电阻率从7.8×10 Ω·cm ,5.5×10 ...
磷/硼预扩散工艺用测试片的复用方法专利信息由爱企查专利频道提供,磷/硼预扩散工艺用测试片的复用方法说明:本发明揭示了一种磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法,其先在新的测试片上生长一层氧化层;再使用氢氟...专利查询请上爱企查
控制硅片表面源的杂质总量。扩散预沉积是硅晶体表面生产薄膜是采取的方法，为了形成硅片表面恒定源的扩散过程，控制硅片表面源的杂质总量。在扩散预沉积生成薄膜时，加入磷、硼、砷等杂质作为扩散源在高温下向硅片内部扩散。
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