隧穿结是半导体器件中的重要组成部分,根据载流子的输运原理可分为带内隧穿结(intraband tunnel junction)和带间隧穿结(interband tunnel junction)。 带内隧穿结在半导体电子器件和光电子器件中较为常见,如在欧姆接触架构中,电子在n型半导体材料与金属之间的输运方式即是通过带内隧穿完成;影响载流子带内隧穿效率的...
基于该隧穿结构具有二维导电材料的叉指隧穿结,因此其制备过程可以实现与光学纳米天线工艺兼容,同时利用叉指结构中的电子非对称激发的方式,可以避免传统隧穿结中的多模干涉效应,从而提高外量子效率,因此,这样的隧穿结构在光电子器件中具有很好的应用前景。
通过与以石墨为电极的磁隧穿结计算结果的对比,以及对投影局域态密度的分析,作者图1. CrI_3 晶格结构与不同层数和磁序下的能带结构发现由金属电极引起的邻近 CrI_3 层的金属化是引起磁电阻奇偶振荡的原因。 图3. 不同磁隧穿结中磁电阻随层数变化情况 图4. 不同电极情况下自旋分辨的投影局域态密度(以4层CrI...
本文观察到具有复合铁电/非极性绝缘体势垒的铁电隧穿结中明显的双极性开关行为,并通过互补的理论模型支持本文的实验结果。此外,本文表明开关行为受到底层畴结构的强烈影响,从而允许制造具有各种功能的各种铁电隧穿结器件。本文研究表明,要观察到极化反转,至少一个部...
请参见图3,图3为本发明实施例的一种具有突变隧穿结的FD-G0I隧穿场效应晶体管的制备方法流程示意图,以制备沟道长度45nm的具有突变隧穿结的N型FD-G0I隧穿场效应晶体管为例进行详细说明,具体步骤如下: 1、选取FD-G0I衬底 该FD-G0I衬底的晶向可以是(100 )或者(110 )或者(111),此处不做任何限制,另外,该FD...
Pt/Pb(Zr,Ti)O3/Nb:SrTiO3铁电隧道结中的取向依赖性隧穿电阻 研究背景 铁电隧道结(FTJ)由两个导电电极组成,这两个电极被纳米厚的铁电层隔开作为势垒,其中两个电极之间的电子传输可以通过势垒中的极化切换来控制,从而产生所谓的隧道电阻...
为解决上述问题,天津赛米卡尔科技有限公司技术团体设计并制备了一种具有p+-GaN/SiO2/ITO隧穿结的发光波长为280nm的DUV LED,如图1所示。由于1 nm厚的SiO2层中隧穿区宽度减小,且电场强度增强,载流子带间隧穿效率和相应的空穴注入效率得到了提高,并使器件获得了更好的电流扩展效应。空穴注入效率的提升也有助于降低器...
以下是钙钛矿材料的组分、制备方法、隧穿结技术、传输层制备和组件制备的简要介绍: 1.组分:有机-无机钙钛矿主要由有机阳离子、无机阳离子和钙阳离子组成。常用的有机阳离子包括甲基铵离子(MA+)、乙基铵离子(EA+)等,无机阳离子一般是铅、锡等金属离子,而钙阳离子则是Ca2+。 2.制备方法:钙钛矿材料的制备方法...
一些存储器件的焦耳热主要来源于核心有源元件,例如铁电隧穿结(FTJ),它使用薄铁电层通过修改隧穿势垒在两个或多个电导状态之间切换。然而,焦耳热或恶劣环境引起的高温会严重影响铁电层的性能。FTJ的工作服务温度很大程度上取决于核心铁电材料的居里温度。值得注意的是,由于具有低功耗、非易失性切换和无损读出的独特...