传统铁电材料如锆钛酸铅(PZT)因与硅基工艺不兼容、厚度过大等问题难以适配先进制程,而铪基氧化物与现有CMOS工艺天然契合,厚度可压缩至几纳米,这让它成为下一代存储器和逻辑器件的理想候选。 铁电性指材料在外加电场撤去后仍能保持自发极化的特性,类似于磁铁保留磁性。铪基氧化物中,铪原子与氧原子形成的晶体结构在...
阻变器件中的阻变特性、铁电器件中的铁电特性,都与其材料与器件结构中形成的氧空位特性密切相关,但目前人们对铪基氧化物中氧空位的微观物理特性了解甚少,而且主要集中在理论计算层面,缺乏有效的微观表征方法,可以直接观测氧空位的微观物理特性。
特别的,相较于多晶的铁电氧化铪薄膜,外延生长的掺杂氧化铪基铁电薄膜呈现出更有序的畴结构和更优异的铁电性能,这可能有利于铁电隧道结器件电阻的翻转。然而外延铁电氧化铪薄膜在人工突触器件中的应用研究,尤其是材料特性与器件性能之间的相关...
作为新型铁电材料可以构建出性能良好的铁电存储器件(FeRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电负电容晶体管(NC-FET)、铁电隧道结等新功能器件,并且展现良好的微缩特性; 此外,铪基氧化物材料还展现出反铁电、铁磁/反铁磁等效应及其构建其他新功能器件的潜力。 因此,铪基氧化物材料在未来新型信息与微电子集成电路技术...
近日,清华大学材料学院马静课题组与中国科学院物理所/中国科学院大学、美国德克萨斯大学圣安东尼奥分校研究团队合作,在外延氧化铪基铁电薄膜研究领域取得进展。研究团队通过对分析菱方氧化铪双四面体晶体场键长畸变,并结合第一性原理计算,提出在合适...
氧化铪基铁电材料因其在非易失性存储器领域的潜在应用而备受关注。为了充分发挥其性能优势,制备方法的优化显得尤为重要。以下将详细介绍氧化铪基铁电材料存储器的制备方法。 一、材料选择与准备 首先,需要选择高质量的氧化铪粉末作为基材,确保其纯度和粒度满足制备要求。...
高耐久性氧化铪基FeFET挑战与解决方案 耐久性问题的核心挑战 耐久性问题是制约FeFET大规模应用的主要障碍。唐克超教授在研究中指出,FeFET的耐久性通常限制在10⁵–10⁶次编程/擦写循环,远低于应用需求。这一问题的核心原因包括: ■界面电场过高:写入操作中界面电场可能超过氧化铪的击穿电场,导致电荷注入和界面层损伤...
本工作创新性开发了一种X射线响应型氧化铪基纳米放射增敏剂(ES@HM-HfO₂:Cu),首次将HfO₂的物理放射增敏特性与铜死亡机制相结合,实现了肿瘤治疗的精准化与高效化。本工作采用空心介孔氧化铪纳米笼(HM-HfO2:Cu)作为载体,通过铜离子掺杂与铜离子载体药物艾乐司莫(Elesclomol, ES)的负载,构建多功能纳米体系。
但是,钙钛矿铁电隧道结的CMOS兼容性差,而具有优异硅基兼容特性的氧化铪基铁电隧道结由于其高矫顽场、粗糙的多晶薄膜界面、半导体底电极分压等原因,操作电压、速度等存储性能都远落后于钙钛矿铁电隧道结。而且,已报道铁电隧道结还存在读取电流低(0.1 V下小于2 A/cm2)的问题,不利于快速信息读取。因此,获得硅基可兼容...
Strem 乙氧基铪 货号: 913949 品牌: Strem 规格: 25g/瓶 - 99% 编码: 13428-80-3 CAS 编码: 13428-80-3 价格:¥ 8,658.00 / 瓶 数量 - + 瓶 加入购物车 收藏保障正品保障 增票服务* 本链接展示、销售的所有产品均不得用于人类或者动物临床诊断或治疗,仅用于工业或者科研等非医疗目的...