金属与N型半导体接触,WM>WS时 WM>WS意味着金属的费米能级低于半导体的费米能级。当金属与N型半导体理想接触时,半导体中的电子将向金属转移,使金属带负电,但是金属作为电子的的“海洋”,其电势变化非常小;而在半导体内部靠近半导体表面的区域则形成了由电离施主构成的正电荷空间层,这样便产生由半导体指向金属的内建电...
金属与N型半导体接触时,若W_m>W_s ,电子向金属流动,稳定时系统费米能级统一,在半导体表面一层形成正的空间电荷区,能带向上弯曲,形成电子的表面势垒。 金半接触阻挡区示意图 半导体表面电子的能量高于体内的,能带向上弯曲,即形成表面势垒。在势垒区,空间电荷主要由电离施主形成,电子浓度比体内小得多,为一个高阻区...
金属与n型半导体接触形成阻挡层和反阻挡层的条件包括: 1.金属与n型半导体之间的能带差异:金属的费米能级位于导带以下,而n型半导体的费米能级位于导带以上,这样就会在金属-半导体接触处形成一个阻挡层,阻碍电子的穿越。 2.金属与n型半导体之间的化学反应:金属和n型半导体之间可能发生化学反应,形成氧化物等化合物,这些...
百度试题 题目金属与n型半导体接触形成欧姆接触,此时金属的功函数应当大于半导体的功函数 相关知识点: 试题来源: 解析 错误 反馈 收藏
1. p型半导体与金属接触： 能带弯曲与空穴积累：当Wm>Ws时，金属中的自由电子会向p型半导体转移，使得p型半导体表面带负电，而金属表面带正电。这种电荷转移导致p型半导体表面的能带向下弯曲，形成空穴的积累层。 低阻接触：由于空穴积累层的存在，p型半导体与金属接触界面处的空穴浓度较高，因此电子容易...
【答】(1)半导体的功函数大。(2)金属与n型半导体形成反阻挡层能带图,如图7-4EEF所示。电子的高电导区(3)不能直接相连的原因是,假如金属与半导体直接接E触形成了接触势垒,对半导体器件的IV特性影响较大。|qV_D(4)实际中,对半导体进行电互连时,通常通过欧姆接触,这种接触不产生明显的附加阻抗,且不会使半导体内...
金属与n型半导体接触形成欧姆接触,此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。A.对B.错的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
江西兆驰半导体申请LED芯片制备专利，降低金属电极与N型GaN层接触电阻的同时提高LED芯片发光亮度 金融界2025年2月13日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种LED芯片制备方法及LED芯片”的专利，公开号CN 119403306 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明提供一种LED芯片制备...
A.是利用金属与N型半导体接触,在交界面形成势垒的二极管。B.也称金属-半导体结二极管。C.肖特基二极管是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子在PN结附近积累和消散的过程。D.其特点是电容效应非常小,工作速度非常快。相关知识点: 试题来源: 解析 ABCD 反馈...
在金属与n型半导体接触时,由于表面态的存在,即使金属的功函数小于半导体的功函数,也可能形成n型阻挡层A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学