1.一种逆导型igbt器件,包括n型漂移层,其特征在于,所述n型漂移层的顶面上依次形成p型体层、n型发射层,所述n型发射层上覆盖发射极金属层,于所述n型发射层、p型体层和n型漂移层垂直向下凹设若干沟槽,所述发射极金属层于相邻所述沟槽之间向下开设接触孔,所述n型漂移层的底面上覆盖有fs层; 2.如权利要求1...
1.一种逆导型igbt器件,其特征在于,包括背面金属区,所述背面金属区上设有p型注入区,所述p型注入区上设有缓冲区,所述缓冲区上设有衬底漂移区,所述衬底漂移区上设有终端区; 2.如权利要求1所述的一种逆导型igbt器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 技术总结 本发明公开了一种逆导型IGBT器件及其制备方法,...
摘要 本发明公开一种逆导型IGBT器件,涉及半导体功率器件技术领域。所述逆导型IGBT器件包括半导体衬底和正面金属层,半导体衬底一侧设有若干沟槽结构,沟槽结构内填充有多晶硅栅,半导体衬底分为IGBT部分和FRD部分;逆导型IGBT器件设有IGBT栅极平台和FRD栅极平台,IGBT部分内一部分多晶硅栅通过IGBT栅极平台电性相连,另一部分多晶硅...
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天眼查显示,华润微电子(重庆)有限公司“一种逆导型LIGBT器件及其制备方法”专利公布,申请公布日为2024年9月24日,申请公布号为CN118693138A。 本发明提供一种逆导型LIGBT器件及其制备方法,该LIGBT器件包括半导体结构、发射极结构、集电极结构、栅结构及MOS结构,其中,半导体结构包括衬底、介电层及外延层;发射极结构包括...
IGBT芯片 半导体,比亚迪,2024年3月1日,国家知识产权局公告,比亚迪半导体股份有限公司申请了一项名为“逆导型IGBT功率器件及其制备的方法和电子设备”的专利(公开号CN117637820A),申请日期为2022年8月。该专利涉及一种逆导型IGBT功率器件及其制备方法,包括至少一个元胞,
天眼查显示,$华润微 sh688396$ 电子(重庆)有限公司“一种逆导型LIGBT器件及其制备方法”专利公布,申请公布日为2024年9月24日,申请公布号为CN118693138A。本发明提供一种逆导型LIGBT器件及其制备方法,该LIGBT器件包括半导体结构、发射极结构、集电极结构、栅结构及MOS结构。O华润微“一种逆导型LIGBT器件及其制备方法...
金融界2024年7月27日消息,天眼查知识产权信息显示,青岛佳恩半导体有限公司申请一项名为“一种单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件的结构调整方法、介质及系统“,公开号CN202410453050.9,申请日期为2024年4月。 专利摘要显示,本发明提供了一种单片集成逆导型GaN‑HEMT功率器件的结构调整方法、介质及系统,属于GaN‑HEMT功...
16.实施例一:本发明公开一种逆导型igbt器件,包括:半导体衬底10和正面金属层60,半导体衬底10一侧设有若干沟槽结构20,所述沟槽结构20内填充有多晶硅栅30,所述半导体衬底10分为igbt部分11和frd部分12;所述逆导型igbt器件设有igbt栅极平台31和frd栅极平台32,所述igbt部分11内一部分多晶硅栅30通过igbt栅极平台31电性相连...
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