基区输运系数是计算机学科术语，表征从发射结发射的多子电流传输到集电结的效率。它直接关系晶体管放大性能，与基区宽度、表面杂质和缺陷等因素相关。以NPN管为例，基区输运系数为集电区电子电流与发射区电子电流之比，表达式为 β0*=Inc/Ine ———补充说明：对于BJT，共基极直流短路电流放大系数就等于发射结注射...
基区输运系数是衡量晶体管性能的一个关键参数。它是指在晶体管基区中,基区电荷载流子的迁移速度与局部电场强度之比。也就是说,当在基区施加一定的电场时,载流子移动的速度会呈现出一定的比例关系。这个比例关系就被称为基区输运系数。 三、基区输运系数的影响因素 基区输运系数取决于晶体...
热学三种输运系数的表达式 嘿,朋友!咱们来聊聊热学里那三种输运系数哈。 首先就是热传导系数啦,它就像是热世界里的快递小哥。想象一下,热量就像一个个小包裹,热传导系数就是决定这些小包裹能多快从热的地方送到冷的地方的速度指标。它的表达式是κ = - (1/3) * vl * Cv,这里的v就像是快递小哥们(分子)的...
1. 少子复合:在基区中,少子在运动过程中会发生复合,这会导致到达集电结的少子电流减少,从而使基区输运系数小于1。复合过程受到多种因素的影响,如基区材料的性质、温度、掺杂浓度等。 2. 基区宽度:基区宽度也是影响输运系数的重要因素。较宽的基区意味着少子需要穿越更长的距离才...
这是一个专栏系列,旨在通过涨落-耗散理论,从平衡态分子动力学模拟中得到非平衡态的输运系数(扩散系数,热导率等),每一次会包括两个部分,理论部分和计算部分。 理论部分依赖于文献:Haile, J.; Johnston, I.; Mallinckrodt, A. J.; McKay, S., Molecular dynamics simulation: elementary methods. Computers in ...
晶体管的基区输运系数是指___电流与___电流之比。为了提高基区输运系数,应当使___远小于其扩散长度。相关知识点: 试题来源: 解析 基区中到达集电极结的少子电流 I pC 从发射结刚注入基区的少子电流 I pE 基区宽度W B 反馈 收藏
部分子。当这些高能的部分子穿过色解禁的QGP介质时,它们会遇到多重散射,并通过介质诱发的胶子辐射而损失能量。喷注能量损失的强度与喷注输运系数 密切相关,该系数可以用于量化喷注和介质的相互作用强度,并与QCD介质的局域胶子数密度相关。唯象研究中,采用模型...
基区输运系数是指双极型晶体管中基区电荷浓度随电场变化的响应速度,它是一个描述基区载流子输运能力的物理量。一般而言,基区输运系数的大小与双极型晶体管的电流放大倍数成正比。 二、影响因素 基区输运系数的大小受到多种因素的影响,主要包括晶体管材料的物理性质、器件结构参数以及...
本研究表明,在高能核-核碰撞中,随着介质温度的升高,归一化的喷注输运系数会降低,这对夸克-胶子等离子体内的能量损失机制产生了重要影响,并为粒子物理学提供了新的见解。 关键词 喷注淬火、喷注输运参数、强子压低、椭圆流系数、能量损...