固体中自由载流子-声子间介电耦合作用及其在反射光谱中的表现量子电子学原子分子自由载流子半导体晶体量子跃迁电子器件自由电子振荡晶体管电子管过去,许多大家熟悉的电子器件,诸如电子管和晶体管,利用在真空中或在半导体晶体中运动的自由电子或自由载流子来实现放大和振荡。今天,由于量子电子学的进展,我们有了另一类新的电子...
本文通过Te/Pb共掺杂,成功制备出873K下高ZT值的BiCuSeO基热电材料,证实通过在Se位上Te的替换,降低了材料的化学键离子性,减少了载流子有效质量,进而通过弱化了载流子-声子耦合提高了材料的载流子迁移率,从而获得了高电导率和高功率系数的热电材料。由此,对化学键合理设计,弱化载流子-声子耦合从而提高材料的本征低载流子...
科研人员通过光电子能谱、荧光光谱、拉曼光谱等实验手段,对双钙钛矿材料的自陷激子和载流子声子耦合进行了深入研究。实验结果表明,通过调控双钙钛矿材料的结构和组分,可以有效地调节其自陷激子和载流子声子耦合效应,从而实现对材料光电性能的精确调控。 四、潜在应用前景。 双钙钛矿自陷激子和载流子声子耦合效应的研究不仅有...
纳米材料的大多数光电功能是由电子/激子声子耦合决定,包括载流子迁移率,热电转换和发光效率以及光谱。由于这些过程的时间尺度从纳秒到毫秒,远远超出了当前的电子动力学计算方法,因此我们在考虑电子-声子耦合的基础上发展了速率理论。基于此速率理论,已经成功地计算了二维材料,共轭聚合物和有机半导体的载流子迁移率。我们针对...
由此,非常方便地进行了LiI跃迁概率和3电子系振子强度的计算,与量子亏损方法相比,不但能够反映出等电子系跃迁的规律性,而且结果具有相当好的精度。表明结合k系数校正的最弱受约束电子势模型方法,有利于等电子系规律的研究。doi:10.1007/BF02677081郑能武李国胜物理学报...
半导体材料,载流子,异质结构用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga0.65Al0.35As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。更多还原...
载流子异质结构用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga_(0.65)Al_(0.35)As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象.清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位.徐士杰江德生李国华张耀辉罗晋生Journal of...
固体中自由载流子-声子间介电耦合作用及其在反射光谱中的表现分子电子学电聚合物分子材料激光束光复印光学破坏旋转镀膜平面波导结构非线性集成非线性波导今天,超大规模集成化的电子元件尺寸不断减小.如果这种趋势继续下去,那末到下世纪中叶,单个元件的线度会只有1毫微米!这相当于每1000个原子一个信息比特(bit).对此,...
SiO_2中的陷阱在MOS短沟道器件的设计中是一重要限制,随着MOS集成电路集成度的提高,器件尺寸的缩小,必须考虑器件的热电子效应,SiO_2中陷阱的存在使热电子注入后器件性能发生变化,严重影响器件的稳定性、可靠性,另外电子束曝光、离子刻蚀、朱文珍常秀勤李月霞安贵仁宁华半导体学报...
中电子电子通道图扫描电子显微镜晶带轴光轴圆锥截线投射距离曲线方程镜筒为了标定扫描电子显微镜中电子通道图的晶体学指数,需要测量电子通道带宽W。但是电子通道带是圆锥截线,各处的带宽不同,因此有必要找出电子通道带宽的变化规律。Schulson就电子通道图的晶带轴平行于镜筒光轴的情形作了计算。廖乾初等将结果推ZHANG JING...