近来,氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料,得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”,与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比,氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV,更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压、耐高温、...
其宽禁带可以在深紫外范围内实现高效发射,这对水净化、消毒和医疗应用非常有用。基于氧化镓的光电探测器也表现出高灵敏度和快速响应时间,使其适用于各种传感和成像应用。 综上所述,氧化镓是一种用途广泛的超宽禁带半导体,具有优异的特性和在电子学、太阳能电池和光电子学领域的广泛应用前景。正在进行的研究和开发...
氧化镓材料及其器件获得了广泛关注,该材料具有适合日盲紫外波段的禁带宽度以及极高的耐击穿场强,在日盲紫外光电探测,高功率、低损耗半导体器件制备方面具有很大优势,在航空航天、5G通讯、轨道交通、高端装备、智能电网、新能源汽车等众多领域具有潜在的应用,市场前景广阔,是一种非常有潜力的半导体材料。 现阶段,氧化镓材料...
半导体产业网讯:从西安电子科技大学微电子学院官网获悉,近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管,功...
氧化镓(Ga2O3)半导体具有禁带宽度大(Eg~4.8 eV)、击穿场强高(Ebr~8 MV/cm)、Baliga品质因数高(εμEbr3~3444)、生长成本低(可熔融法生产单晶衬底)等突出优点,是用于下一代高压高功率器件(肖特基势垒二极管(SBD)、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET))和日盲紫外(波长200−280 nm)光电探测器的优选材料...
原文作者:半导体学报 超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体禁带宽度为4.8 eV,理论预测其击穿电场强度达到8 MV/cm,远高于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等半导体材料,在功率、射频器件方面有着重要的研究价值和巨大的应用前景。目前和今后一个...
近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管,功率优值高达13.2GW/cm2,是截止目前氧化镓半导体器件的...
超宽禁带是氧化镓材料的重要特性之一。一般来说,半导体材料的禁带宽度越大,其电子迁移性能越好,电学性能越稳定。氧化镓材料的超宽禁带宽度是其他半导体材料的数倍,可以达到约5.2eV。这意味着其在高功率和高温应用领域有重要的应用前景。此外,由于其禁能宽度的特殊性质,氧化镓材料还能够实现高电子迁移率和低电阻率的同...
近年来超宽禁带半导体材料氧化镓由于其优异的材料特性引起了广泛的关注,其禁带宽度为4.8 eV,临界击穿场强为8 MV/cm,电子迁移率为250 cm2/V•s,巴利加优值超过3000,是GaN和SiC材料的几倍之多,是功率器件更为优异的材料选择。目前,大块单晶氧化镓材料外延生长的低廉制备成本以及成熟的外延生长技术都为氧化镓功率...
超宽禁带半导体氧化镓材料与器件专刊 氧化镓(Ga2O3)作为继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料,其禁带宽度约为4.8 eV,理论击穿场强为8 MV/cm,被广泛应用于高性能电源开关、射频放大器、日盲探测器、恶劣环境信号处理方面。近年来随着氧化镓晶体生长...