钉扎理论又称钉扎效应，是指费米能级不随掺杂等而发生位置变化的效应，费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。反磁化核在外磁场作用下长大成为反磁化畴，然后通过畴壁位移实现反磁化。产生反磁化核的地方一般是晶体缺陷、掺杂物等，缺陷数目、掺杂物等越多，反磁化核越容易形成，矫顽力也就越低。但从...
费米能级钉扎效应是指费米能级不随掺杂等而发生位置变化的效应。根据布洛赫定理,费米能级可以被看作是电子在晶格周期势场中的平均能量。当费米能级位于两个能带之间的带隙中时,电子无法跃迁到其他能带,因为跃迁需要吸收或释放能量,而这些能量恰好处于禁止区域。因此,电子只能留在当前能带中,不会自由运动。实验上,费...
所以表面看来,不管p型半导体与外界如何交换电子,它的费米能级都被钉扎在一个固定的位置(n型半导体的费米能级位置)。 如果我们把n型半导体当成给体表面态,当表面态密度非常大非常大非常大,那么p型半导体的费米能级钉扎在表面态的位置(知道表面态的费米能级在哪里吗?如果不知道,那么认真思考费米能级的定义)。所有...
近日,中国科学院金属研究所的科研人员提出了一种使用晶圆级碳纳米管(CNT)薄膜作为插入层调制金属/n-锗费米能级钉扎效应的方法,CNT薄膜在不产生明显电阻的情况下有效降低了肖特基势垒高度,从而在金属和轻掺杂n-Ge之间形成欧姆接触,并得到了已报道的最小接触电阻;同时,所制器件还提供了研究钉扎机制的平台,并表明在该...
同时,他们发现这种费米能级钉扎效应对不同的电子自旋有着不同的依赖,预示着这种效应将对分子自旋电子学有着重要的意义。最后,他们表明这种利用电子转移配合物来构建相长量子干涉的方法将会适用于众多类似的强电子受体系统。 这项研究成功实现了分子传输对分子长度的弱依赖(有效的长程电子传输),并提出了简单而有效构建...
Angew.:次表面氧缺陷消除费米能级钉扎增强光电催化活性 光电化学(PEC)分解水是一种很有前途的可再生太阳能光转换方法。然而,由表面缺陷态引起的费米能级钉扎(FLP)严重限制了PEC活性。基于此,中南大学刘敏教授,蒋良兴教授,上海师范大学卞振锋教授,慕尼黑大学Emiliano Cortés教授(共同通讯作者)等人通过精确调控的旋涂和...
百度试题 结果1 题目【题目】半导体表面的费米能级钉扎效应是指 相关知识点: 试题来源: 解析 【解析】半导体表面态密度较大时,费米能级不随掺杂而发生位置变化的效应 反馈 收藏
关于GeGaAs(110)界面的费米能级钉扎_专业资料。采用饱和的平板模型及半经验的紧束缚方法计算了吸附Ge原子的GaAs(110)表面在不同覆盖度情况下的电子态密度.结合以前对Ge/GaAs(110)界面系统电子态的理论与实验研究工作,提出Ge/GaAs(110)界面的费米能级钉扎位置主要决定于GaAs表面层与Ge吸附层之间的电子电荷转移. ...
因为SQDs捕获的光生电子可以有效地转移到表面并填充费米能级钉扎态(实验已经证实比In0.4Ga0.6As的导带边缘低~230meV),而空穴被束缚在SQDs内的价带上。因此形成钉扎在表面的电子与束缚在SQDs中心的空穴分离,即电荷分离分布,所以InGaAs/...