显然,负阻器件是指它的微变(增量)电阻为负值的器件。 一些应用: 事实上,负阻器件的负阻效应仅是表现在器件的某段动态工作范围内;对于静态,它仍然是一个耗能元件,还是一个“正阻”。恰恰是由于在这段动态工作范围内的负阻特性,人们发现了许多其它器件所没有的特点,这些特点很有利用价值,所以负阻在实际电路中...
本发明公开一种基于负阻效应器件实现磁电阻比值方法的电路结构,包括匹配电阻,磁电阻单元,第一负阻效应器件和第二负阻效应器件,匹配电阻与第一负阻效应器件并联组成第一电路,磁电阻单元与第二负阻效应器件并联组成第二电路,且第一电路和第二电路串联;基于负阻效应器件所特有的非线性输运性质本身的特性及其创造性应用...
本发明公开一种基于负阻效应器件实现磁电阻比值方法的电路结构,包括匹配电阻、磁电阻单元、第一负阻效应器件和第二负阻效应器件,匹配电阻与第一负阻效应器件并联组成第一电路,磁电阻单元与第二负阻效应器件并联组成第二电路,且第一电路和第二电路串联;基于负阻效应器件所特有的非线性输运性质本身的特性及其创造性应用...
1.一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构,其特征在于,传统的RC-IGBT器件通过离子注入在N型衬底背面形成一定厚度的N-buffer层,N-buffer层的宽度小于N-漂移区的宽度,一定厚度的N-buffer层通过离子注入形成P+柱,进而形成一个N-buffer层内部下沿带有多个P+柱的混合交替排列N型和P型的缓冲层;N型集电区和P型集电区...
1.一种消除负阻效应的横向rc-igbt器件结构,其特征在于,在传统的横向igbt器件的漂移区中心顶部设置氧化物隔离区域,隔离区域为沟槽形状,在氧化物下方是n-漂移区1,在氧化物上方是n-漂移区2,这两个区域都是低掺杂区域;在n-漂移区1的下方是soi层,在soi层的下方是p-基底;在n-漂移区2的靠近发射极一侧通过离子注入...
本发明的逆导型IGBT功率器件,正向导通时,可以减少电压折回现象,有效抑制负阻效应,提高器件性能。
原标题:比亚迪半导体申请逆导型IGBT功率器件专利,有效抑制负阻效应,提高器件性能 金融界2024年3月1日消息,据国家知识产权局公告,比亚迪半导体股份有限公司申...查看全文 相关企业信息 公司名称:比亚迪半导体股份有限公司 法人代表:陈刚 注册资本:32535.67万人民币 成立时间:2004-10-15 公司类型:股份有限公司(外商投资、...
自然界中不存在负电阻元件,只有当电路上有电流流通时,才会产生负电阻,而正电阻则不论有没有电流流过总是存在的。电路理论中的负电阻(实际上是微变电阻)是用来描述非线性电阻元器件的负阻效应的电路模型元件。所以,严格地说,负电阻按定义应称为负微分电阻。 尽管器件的微变电阻是负值,但其直流电阻仍是正值,这...
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSF...
碰撞电离的发生,产生等效的载流子注入效应,使器件形成负阻效应;器件置于磁场中,半导体基体内部载流子由于洛伦兹力作用发生非均匀性变化,呈现出非饱和磁阻效应,实现负阻效应和非饱和磁阻效应共存于器件.本发明结构简单,性能测量方法成熟,可应用于发展新型多功能器件,比如具有高磁敏特性的脉冲发生器,新型多功能磁存储器件....