解:(1) 需要1024K×32-|||-=8×4=32-|||-128K×8片,每4片为一组,共需8组(2) 设计此存储体组成框图如下所示。A-As-|||-CPU-|||-四-|||-03-|||-四-|||-4-|||-四-|||-WE-|||-D-Dsn-|||-7-|||-四-|||-9-|||-CPU-|||-20-|||-30-|||-9-|||-(27-|||-20-|...
(2) 设计此存储体组成框图如下所示。(3) 设该128K8位的DRAM芯片的存储阵列为5122568结构,则如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为AA8,那么该行上的2048个存储元同时进行刷新,要求单元刷新间隔不超过8ms,即要在8ms内进行512次刷新操作。采用异步刷新方式时需要每隔进行一次,可取刷新信号周期为15....
4.有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位DRAM芯片构成 (1)总共需要多少DRAM芯 (2)设计此存储体组成框图 (3)设DRAM芯片存储体结构为512行,每行为256X8个存储元。采用分散 新方式,如单元刷新间隔不超过8m 新信号周期是多少相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏 ...
[1]有一个1024K×32位的存储器,由128 K×8位的DRAM芯片组成。问: (1) 总共需要多少DRAM芯片? (2)此存储体组成框图。 (3)采用异步刷新方式,如果单元刷新间隔不超过8 mS,则刷新周期(一行)是多少? 解: (1)需要(1024K/128K) ×(32/8)=8(组)×4(片堆叠)=32(片) ...
(2) 设计此存储体组成框图如下所示。(3) 设该128K8位的DRAM芯片的存储阵列为5122568结构,则如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为AA8,那么该行上的2048个存储元同时进行刷新,要求单元刷新间隔不超过8ms,即要在8ms内进行512次刷新操作。采用异步刷新方式时需要每隔进行一次,可取刷新信号周期为15....
解:(1) 需要1024K×32-|||-=8×4=32-|||-128K×8片,每4片为一组,共需8组第3章习题参考答案-|||-(②)设计此存储体组成框图如下所示。-|||-A~A16-|||-Ao~A8-|||-Do-1-|||-Do?-|||-CPU-|||-RAS-|||-(1)-|||-(5)-|||-(9)-|||-(13)-|||-D8~15-|||-D8-15-|||...
(2) 设计此存储体组成框图如下所示。 (3) 设该128K8位的DRAM芯片的存储阵列为5122568结构,则如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为A0A8,那么该行上的2048个存储元同时进行刷新,要求单位刷新间隔不超出8ms,即要在8ms内进行512次刷新操纵。采取异步刷新方法时需要每隔进行一次,可取刷新信号周期为15...
解: 需要1024K×32-|||-=8×4=32-|||-128K×8片,每4片为一组,共需8组 设计此存储体组成框图如下所示。 设该128K8位的DRAM芯片的存储阵列为5122568结构,则如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为AA8,那么该行上的2048个存储元同时进行刷新,要求单元刷新间隔不超过8ms,即要在8ms内进行...
有一个1024K*32位的存储器,由128K*8位的DRAM芯片构成。问:(1)总共需要多少DRAM芯片?(2)设计此存储体组成框图。(3)采用异步刷新方式,如单元刷新间
解析 解:(1)总共需要DRAM芯片数为: N=(1024K/128K)×(32位/8位)=32(片) (2)此存储体组成框图 (3)如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为A-A8,因此这一行上的256×8个存储元同时进行刷新,即在8ms内进行512个周期。在8ms中进行512次刷新操作,按分散刷新方式8ms/512 = 刷新一次。