基于输入向量控制的衬底偏置技术面积优化方法
本发明公开了一种基于衬底偏置技术的低压逐次逼近型模数转换器电路,该电路包括二进制权重的VCM‑based差分电容阵列,低漏电衬底驱动型自举开关,衬底偏置的带浮动反相器放大级的动态比较器,基于衬底输入对的SAR逻辑单元,以及编码器。本发明具有低功耗,低失调电压,低噪声,电路结构简单等优点,整体电路工作在0.6V的低压条件...
在工程设计中,衬底偏置效应对阈值电压的影响可用下面的近似公式计算: γ为衬底偏置效应系数,它随衬底掺杂浓度而变化,典型值:nmos晶体管,γ=0.7~3.0。pmos晶体管,γ=0.5~0.7对于pmos晶体管,∆vt取负值,对nmos晶体管,取正值。 对处于动态工作的器件而言,当衬底接一固定电位时,衬偏电压将随着源节点电位的变化而变...
图2为不同偏置条件下40 nm MOSFET衬底电流随器件沟道长度变化的曲线。从图中可以看出,衬底电流具有沟道长度依赖性和漏极偏置依赖性,沟道长度越小,衬底电流成反比例形式增加;同时漏极偏置越大,衬底电流越大。仿真结果与实验结果相一致,验证了模型准确性。
【面经】 比亚迪 模拟IC | 上午hr面问意向岗位,下午技术面40分钟。 学习成绩如何 有挂科吗,六级? 硕士研究方向?有流片吗? MOS管衬底偏置效应,如何消除?衬底是跟源端会有什么问题? 沟道长度调制效应?电路中有什么影响? 电流镜镜像电流的原理?基本电流镜有什么缺点?为什么要vds相等?如何保证vds相等?
衬底偏置技术是指改变p区和n区衬底偏置电压的方案。进入纳米设计，泄漏电流对功耗的影响会更加显著。由于工艺参数（包括沟道长、沟道宽、绝缘层的厚度）带来的误差，使得MTCMOS技术在晶体管的“缺陷”测试分析变得复杂困难。相比之下，在CMOS中采用正向有源区（衬底）偏置（FBB, forward body bias）不仅可以降低泄漏电流...