萨支唐方程的一般形式为:σ=Kϵn 其中: σ是应力(通常表示为MPa或ksi) ϵ是应变(通常表示为无量纲值) K是强度系数(MPa或ksi) n是应变硬化指数(无量纲) 这个方程通常用于描述金属在塑性变形阶段的应力-应变行为,特别是在金属成形过程中。 要推导萨支唐方程,我们首先需要理解材料在弹性和塑性变形阶段的应力...
至罗星塔前马江又合为一，这分合之间拢成的江中之地，就是南台岛，也是现在福州市仓山区全域，就在这被闽江水孕育的宝藏苍山之地，走出了一位半导体器件和微电子学的学术泰斗——萨支唐院士，其在MOS半导体器件领域提出的“萨支唐方程”是集成电路发展历史上具有里程碑式的贡献！
萨支唐方程: 线性区: VDS≤VGS−VTH ID=μnCoxWL[(VGS−VTH)VDS−12VDS2] 表示了器件的“电流能力”随 VGS 的增大而增加。 可以计算漏极电流极值发生在 VDS=VGS−VTH ,且峰值电流为 饱和区: VDS=VGS−VTH ID=12μnCoxWL(VGS−VTH)2 麦克斯韦方程:(cr)...
根据萨支唐方程导出饱和漏电流公式(注:在夹断点L,V(L)=VG-VTH=VDS); 选择理学 hxwb2012 采纳率:45% 等级:12 已帮助:4649人 私信TA向TA提问 答案 芝士回答 来自: 芝士回答2020.11.28 芝士回答 已帮助:11723万人 已回答:422万条 靠谱的问答社区,专注分享知识、经验、观念。在这里,所有人都能找到答案、参...
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导出萨支唐(C.T.Sah)方程. 导出萨支唐(C.T.Sah)方程. 查看答案