9.其中,获取目标存储芯片的温度达到预设温度的温升时间,包括:将目标存储芯片开始加热至目标存储芯片的温度达到预设温度之间的时间间隔,作为温升时间。 10.其中,该方法还包括:将若干目标存储芯片的温升时间中的最大时间,作为预设加热时间,其中,预设加热时间用于确定与目标存储芯片同类型的待测存储芯片在测试前的加热时间。
存储芯片的温升时间测量方法、存储芯片测试方法及设备专利信息由爱企查专利频道提供,存储芯片的温升时间测量方法、存储芯片测试方法及设备说明:本申请公开了一种存储芯片的温升时间测量方法、存储芯片测试方法及设备,该方法包括在对目标存储芯片升温过...专利查询请上爱
摘要 本发明公开分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法,包括以下步骤:连续施加脉冲电流Ii;脉冲电流0<Ii≤100mA;施加脉冲电流Ii的时间间隔5-20μs,脉冲电流Ii占空比为50%;施加脉冲电流时,采集分布反馈半导体激光器芯片在各个脉冲电流Ii的光功率,记录每个脉冲电流Ii下的光功率P;根据光功率P记录分布反馈半导...